A

ABIOS(Advanced Basic I/O System)

PC의 실모드 BIOS는 유사한 루틴들의 집합이고, ABIOS는 보호모드로작동되도록 설계된 것이다.

Abrasive

성형완료된 PKG나 리드프레임에 잔존하는 수지 피막을 제거하기 위해 사용된 연마제.

Absorption Constant(흡수 상수)

매질이 빛을 흡수하는 정도를 나타낸 고유값.

Absorption Dichroism(흡수 이색성)

축성(軸性)액정에 있어서 광의 편광 방향에 의해 광의 흡수 정도가다른 현상으로 직선 편광의 진동 방향의 차이에 의해 흡수 계수가 다른 직선 이색성 또는 선광성(旋光性)을 나타내는 용액 등에 있어서 좌우 원편광의 흡수 계수가 다른 원편광이색성 등의 종류가 있다.

Accel Mode

이온 주입시 가속에너지를 가해준 상태에서 주입하는 형태(에너지 범위 32-200KeV).

AC Characteristic

Device가 동작시 갖고 있는 특성중 입출력 파형의 Timing과 관련한 여러 가지 특성들을 말함.

Access

메모리 Deive에 Data를 저장하거나, 저장된 Data를 읽어내기위하여 Device의 외부에서 미리 약속된 방식으로 Signal을 가하여 메모리의 특정 번지를 찾아가는 행위.

Acceptable Quality Level 합격품질수준.

Sampling에서, 만족할 만한 공정 평균으로 생각할 수 있는 Lot 혹은 Batch내의 최대 변동수(variant unit)를 말한다. 변동수(variant unit)라는 말은 이상정도 또는 결함(불량)정도라는 보다 더 국한된 의미의 단어로 대체할 수도 있다.

Acceptance Number(Attributes) 계수치.

검사 Lot 또는 Batch의 합격을 위해서 요구되는 Sampling내의 최대변동수를 의미한다.

Acceptance Sampling

제품 혹은 재화의 합·부판정을 위한 Sampling 검사 즉, Sampling검사에 의거하여 합·부판정을 하는 절차에 관한 방법을 말한다.

Acceptance Tests(인수시험)

공급자가 구매자간에 제품을 인수할 것인가를 동의하거나 결정하는데필요한 테스트.

Acceptor

3가의 불순물을 실리콘에 주입하면 공유결합에 의해 홀(Hole:정공)을 만드는데 이때 3가의 분순물을 Acceptor라 한다.

Acceptor Level(Acceptor 준위)

반도체속에 불순물로서 혼입한 원자에 의해서 호울(Hole)이 생겨 반도체가 P형으로 되는 불순물 원자를 억셉터 라고 하며 이 상태를에너지대의 그림으로 나타냈을때 억셉터에 의해서 금지대속에 생긴 에너지 Level을 Acceptor Level이라고 한다.

Access Time(호출시간)

기억장치에 있어서 지령(판독, 기록)과 어드레스의 제어신호가 주어진후 실제로 그 동작이 시작되기까지의 시간

ACI(After Cleaning Inspection)

식각공정중 건식, 습식 및 감광액 제거후 현미경 및 측정장치 등을이용해 식각의 정확성, 이물질의 잔존, CD(Critical Dimension : 임계치수) 등을 검사하는 작업.

Active Matrix Drive(능동 매트릭스 구동)

주사 전극과 신호 전극의 매트리스 교점부 화소마다 스위칭 소자와 필요에 따라 축전지를 축척하여 contrast나 response 등의 소자 성능을 향상시키는 구동방식으로 스위칭 매트리스 구동이라고도 한다. 이 방식은 각 수위칭 소자에 연결된 화소전극을 서로 독립시킨 것으로 잔상 현상을 방지하고 다음 프레임까지 신호 전하가 축전지에 의하여유지된다.

Accumulation

MOS의 Gate에 가해지는 Bias에 따라서 silicon surface Gate아래에 Majority Carrier(즉, Substrate와 같은 Carrier)와 Density가 증가하는 경우가 있는데 이를 일컬음.

Accumulator

수치연산에 있어서 Data나 연산결과를 일시적으로 저장.

Accuracy

정확도·측정값이 얼마만큼 참값에 가까운가를 나타내는 척도.

Active Element(능동소자)

비선형 부분을 적극적으로 이용하는 소자. 진공관과 트랜지스터가 대표적이다.

ADART(Automatic Distribution Analysis in Real Time)

자동분석 Program, 파라메타 검사결과의 분포를 나타내는 것.

A/D Converter(Analog to Digital Converter)

연속계량적으로 변화하는 신호를 계수형 신호인 "1"과 "0"으로 바꾸는 장치, 흔히 ADC라고도 한다.

Additive Process(애디티브工法 : 附着工法)

동박이나 동박이외의 부분의 표면에 선택적으로 전도성 물질을 부착시킴으로서 회로를 형성시키는 工法.

Address Pre-Decoder

Row/Column Address De-coding의 편리를 위하여 Address Buffer로부터의 Internal Address AN, / AN를 받아들여 Decoding을 하는 회로이다.

Addressing Technique(어드레스 기술)

액정 표시 소자에 원하는 표시를 나타내기 위하여 전극형성과 전극이 형성된 액정표시소자를 구동시키는 기술로 LCD-Addressing 방법이라고도 한다.

Adhesion

접착력 특히 WF에 도포된 감광액과 WF기판간의 접착력(각 막질간의 접착력).

ADI(After Development Inspection)

사진 공정중 현상이 끝난후의 형성된 감광액, Pattern의 정확성, CD등을 검사

Agitation(교반)

습식 식각시 식각율을 높이거나 식각 균일도를 좋게 하기위해 WF를 식각액에 넣은 상태에서 흔들어 주는 것.

AGV(Automatic Guided Vehichle, 자동 반송 시스템)

intra-bay내에서 cassette를 반송하는 6축 이동로보트이다. LCD 공정에서 다량의 기판 유리를 제조시 lot의 중량 및 결점발생을 고려하여 공정 단계별로 기판 유리를 이동시킬 때 자동으로 운송시켜주는 시스템.

AH(Absolute Humidity)

공기중의 절대습도를 말한다.

AHU(Air Handling Unit 空調機)

공기를 일정온도, 습도로 조절하고, 공기중 Particle를 제거하여 실내에 그 정화된 공기를 공급하는 기계.

AI (Artifical Intelligence)

인공지능

Air Gun

압축공기를 이용, 이물질 또는 찌꺼기 등을 불어내는 기구.

Air Shower

FAB Line 출입시 방진복, 방진화에 부착된 먼지나 이물질을 제거하기 위한 장치로서 밀폐된 Box에 깨끗하고 강한 공기를 불어서 먼지를 제거함.

Aignment

사진공정중 전 단계에서 WF에 형성된 회로에 새로 형성할 Mask의 회로를정립시키는 작업. 이러한, 작업을 하기 위한 장비를 Aligner(정렬노광기) 라고 한다.

Alignment(정렬)

이미 pattern이 형성되어 있는 wafer 표면위에 또다시 다른 pattern을맞추는 것. LCD 제조공정에서 앞 유리 기판과 뒷 유리 기판의 패턴을정확히 맞추는 작업

Alignment Mark

중복되는 Align 공정에서 정확한 Align을 위하여 표시된 기준점을 말한다.

Alloy

Si와 Al의 접촉을 좋게 하기 위하여 합금시키는 것을 말하며확산로를 이용함.

ALPG(Algorithmic Pattern Generator)

메모리 Device 시험에 사용되는 Data의 읽기, 쓰기를 시험하기 위한 instruction을 Coding하는 장치.

Alpha-particle

방사능 물질의 붕괴시 방출되는 이중으로 이온화된 He원자핵으로서 자체에 있는 U 및 Th 원소로부터 trace contamination되어 IC에 존재할 수 있는데, silicon과 전기적으로 상호작용하여 에너지를 잃으면서 지나는 경로를 따라 hole-electron pairs를 생성하면서 Soft error를 발생시킨다.

Al-Target

Wafer 표면에 Al을 증착하기 위한 Al 덩어리.

Alternative Hypothesis(H1)

대립가설 귀무가설이부정되면 대립가설이 받아 들여진다. 대립가설을 선택할 때 한쪽 검정을 선택할 것인지 양쪽검정을 선택할 것인가를 결정해야 한다.

ALU(Arithmetic Logic Unit)

2진 연산을 실행하기 위한 논리회로로 구성.

AM 방송 (진폭변조방송)

방송주파수의 폭을 음성 전파로 변조시켜 방송하는 것을 말한다.

Ambient

확산 또는 침적 공정을 진행할 때 주위의 Carrier Gas 종류를 말함(N2, O2, H2O 등).

AMLCD(Active Matrix Liquid Crystal Display)

화면을 수만에서 수십만 개로 분할하여 각 화소에 구동소자를 제작하고 그의 스위칭 특성을 이용해 화소의 동작을 제어하는 방식을 말함.

Amorphous

어떤 고체가 반복적 원자배열 상태인 결정을 이루지 않고 있는 상태 즉 비정질 상태를 말하며, Silicon의 경우 제한된 생성조건을 만들어 주면 비정질 상태가 될 수 있다.

Amplification

(반도체 소자를 이용하여) 미약한 신호를 원하는 수준의 신호로 증폭시키는 전기적인 작용을 말함.

Analog

연속적인 숫자나 값을 나타내는 것.

Analog IC

디지탈 IC에 반대되는 말로서 아날로그 신호를 취급하는 집적회로를 말한다.

Analog Memory

아날로그량을 기억하는 메모리.

Analysis of Variance(ANOVA)

분산분석 추정한 분산성분이나 모형의 변수 에 대한 가설을 증명할 목적으로 총변동량을 특별한 변동요인과 관련된 의미있는 성분으로 분해하는 기법을 말한다.

Analyzer

전자석을 이용해서 Wafer 내에 주입시키고자 하는 이온을 분석하는 장비.

AND

IC내의 회로망중 논리적 회로로서 모든 입력단자(보통 2개)에 입력이 되어야만 출력이 나오는 논리회로.

Anelva

금속(Al, Cu Ti 등)을 증착, 산화막 등을 식각하는 장비를 제조하는 일본의 반도체 장비업체.

Angstrom(Å)

파장을 재는 단위로 1Å=1×10-8㎝의 길이. H+ = 0.0592×10-8Å

Anicon

LTO(Low Tempercture oxide) deposition 장비 이름.

Anisotropic Etching

이방성 식각·식각반응이 한쪽방향(수직)으로만 진행되는 식각형태≠Isotropic Etching (등방성 식각)

Annealing

열처리를 의미하며, 주로 Si과 반응치 않은 N2나 Ar gas 분위기하에서 이루어지며 Oxide의 quality나 Bulk silicon의 defect 감소 및 이온 주입후 damage 같은 것을 cure하는데 이용됨.

Annular Ring(둥근고리)

홀주변을 전도성물질이 완전하게 둘러쌓고 있는 部分.

Anode

음이온이 끌려오는 전극, 즉 양극.

ANSI(American National Standards Institute)

미국 공업표준 협회. 표준규격을 직접 제정하지 않으나, 공인된 단체의 표준 규격을 심사,승인하여 국가 규격으로 채택.

Antimony Wafer

제조 공정에 사용되는 불순물로써, N-형 불순물에 해당하며,기호는 Sb이다.

Anti Reflect

Polycide 구조에서 silicon의 굴절율이 11.0이상으로 photo 공정에서 pattern 형성에 문제가 발생할 수 있다. 따라서 굴절율이 낮은 SiO2나 TiN 등을 silicide층위에 형성시켜 pattern 형성의용이함을 꾀하는 TiN를 ARC라 한다.

Antistatic

정전기 방지.

AOQ(Average Outgoing Quality)

계수 선별형 검사에서 다수의 lot가 선별형 검사를 받았을 때검사를 통과한 다수의 lot의 평균품질을 보증함을 말한다. 평균 품질보증(AOQ)=lot불량율×lot가 합격으로 될 비율

AOQL(Average Outgoing Quality Limit)

평균 출검 품질 한계 : AOQ 곡선의 최대치.

Application Test

실장(實裝)테스트라고도 불리우며, 반도체 신제품의 생산시 실제적으로 해당제품이 사용되는 시스템에 장착후 고객이 테스트하는 조건과 동일하게 실시하는 테스트를 일컬음.

APCVD Atmospheric Dressure CVD(Chemical Vapor Deposition)

화학적 기상도금 또는 화학증착이라고 하는 고순도 고품질의 박막을 형성하는 기술로 저온에서 기화한 휘발성의 금속염(Vapor)과 고온에 가열된 도금할 고체와의 접촉으로 고온분해, 고온반응하고 여기에 광에너지를 조사시켜 저온에서 물체표면에 금속 또는 금속화합물층을 석출시키는 방법으로 화학 Gas들의 화학적 반응 방법을 이용하여 막을 증착시키는데 이때 Chamber 상태가 대기압 조건에서 이루어지는 증착.

APD(Avlanche Photo Diode)

실리콘의 PN 접합에 브레이크 다운 전압에 가까운 고전압을 가하여 전자사태 효과에 의한 전류증배의 작용을 갖게한 Photo Diode다.

APPC(Advanced Program-to-Program Communication)

동일기종 혹은 이 기종에서의 프로세서들이 서로 통신할 수 있게 하는 IBM사의 SNA(System Network Architecture)의 일부분.

API (Application Programming Interfaces)

사용자가 시스템을 access하기 위해 응용프로그램을 쓸 수 있도록 제공하는 routines(s/w tools)을 말한다.

AQL(Acceptable Quality Level)

계수 조정형 Sampling 검사로 합격으로 할 최저한의 lot의 품질을 말하며,이 수준보다 좋은 품질의 lot를 제출하는 한 거의 다 합격시키는 것을 판매자 측에서 보증하는 것이다.

ARC 파일

SEA(System Enhancement Associates)에 의해 발표된 ARC 파일을 압축프로그램에 의해 사용된 파일형태.

Arc Chamber

Ion을 생성시키는 사각형으로 된 상자.

Arc Current

Plasma상태에서 Beam전류를 생성시키기 위하여 필라멘트와 Arc Chamber 양단에 가해주는 전류.

Ar

ARGON의 원소기호 및 그 Gas.

Area Marketing

전국을 동일한 성질의 하나의 시장으로 보고 전개하는 Marketing수법에 대응하는 개념으로 각 지역의 특성을 파악하여 그에 알맞는 치밀한 수법을 통틀어 일컫는 말.

Arithmetic Mean

산술평균.(Arithmetic Average)

μ-모평균(Population Mean)

관측치의 합계를 관측수로 나눈 것으로서 중심적 경향이나 위치를 나타냄. (note : 평균에는 산술평균, 기하평균 등 여러가지가 있으나 일반적으로 평균이라 말할때는 산술평균이다. 이것은 공정의 중심치를 평가하는 척도로서 사용된다.)

ARL(Acceptable Reliability Level)

허용 신뢰성 수준 또는 합격 신뢰성 수준.

Array

기능상으로 각각 독립된 여러개의 회로 또는 디바이스를 한 장의 기판위에 규칙적으로 배열하여 상호 배선한 집적회로군 또는 Device군을 말한다.

Array Logic

FILP-FLOP, NAND, NOR, Diode 등의 Logic Circuit을 Array 모양으로 배열한 것으로 반복구조에 의해서 소망의 논리(함수)를 실현하는 Device다.

Artwork Master

작업용 源Film을 제작하는데 쓰이며 배율이 정확하게 1:1인 회로의 형태.

As

비소의 원소기호(Arsenic).

ASAC(Asian Standards Advisory Committee)

아시아 표준화 자문위원회.

Ashing

건식식각, 습식식각이나 이온주입 등에 의해 굳어진 감광액의 건식 제거(Dry Strip) 또는 습식제거작업.

ASIC(Application Specific IC)

특정용도 집적회로(特定用途 集積回路)·전자 제품의 경박단소(輕薄短小)추세에 따라 범용성이 높은 표준 IC와는 달리 고객이나 사용자가 요구하는 특정한 기능을 갖도록 설계, 제작된 IC를 말한다.

Aspect Ratio

Step Coverage나 평탄화 등에 연관된 용어로써 이미 鍍金된 홀의 직경에 대한 홀의 길이와의 比率.

Assembly

실장품 부품들이나 보조실장품들이 조합을 이루어 결합되 있는 것.

ASRP(Automatic Spreading Resistance Probe)

Silicon Wafer의 지점별 불순물 농도 분포를 연속적으로 측정하는 설비.

Assignable Cause

변동의 분포를 구성하는 요소들 중 원인을 규명할 수 있는 것.

ASTM(American Society Testing & Materials)

미국 재료시험 학회

ATE(Automatic Test Equipment)

전자 소자들을 소프트웨어를 이용하여 Test할 수 있는 장비를 일컬음.

Attributes, method of 계수치(속성).

units가 얼마나 많은 품질속성을 가지고 있는가 (또는 가지고 있지 않은가)units속에 얼마나 많은 事象이 발생하는가 그 리고 각 unit에 어떤 특성이 존재하는가 등의 계수치 (attribute)에 의한 품질평가.

Au-Bond(Gold ball Bond)

금선을 사용한 Bonding 방법.

Audio RAM

정상적인 DRAM에 비하여 불량 BIT 수가 규정갯수 이내로 존재하는 제품을 나타내는 것으로, Audio RAM을 활용하는 시스템은 일반적으로 자동응답 전화기 및 HDD 대용으로 사용되고 있다.

Auto-Doping

불순물이 높게 주입되어 있는 상태에서, 다른 공정을 진행할 때 진행공정의 목적과 함께 또는 별개로 불순물이 다른 지역으로 확산되는 것을 말함.

Auto Loader 반도체 제조(FAB, TEST, ASS'Y)

어떤 공정에서든 공정이 진행될 때 시작되는 것이 자동적으로 진행되는 것을 말함.

Automatic Loading System

Carrier에 담긴 Wafer를 한 개씩 주입할 수 있는 곳까지 운반하는 장치.

Auto Transfer

Wafer를 Boat에서 기계로 Loading 또는 Unloading하는 기구 로써 제조공정에서 사용한다.

Auto Transport System(자동반송 시스템)

자동화 공장에서 물량 반송을 Computer System의 제어하에 자동으로 목적지까지 행하는 총괄적인 System.

Av Voltage Gain

전압 증폭도.

AV TFT-LCD(AUDIO-VIDEO, TFT-LCD)

오디오, 비디오용 디스플레이에 사용되는 판넬로 고화질의 TFT-LCD 칼라화가 요구되며 1. 1인치 이하의 화소수 12만 정도의 캠코더용 디스플레이 판넬이 대표적이다.

Avalanche Breakdown

Pin Diode에 역전압(reverse bias)를 크게 가해주면 breakdown이 되면서 급격히 큰 전류가 흐르게 되는 것으로, Zener breakdown mechanism과 달리 저농도로 doping된 Junction에서 transition region의 강한 Field에 의해 electron이 결정격차와 충돌하여 electron-hole pairs를 생성하는 impact ionization mechanism을 반복하면서 carrior수가 급격히 증가되어 Breakdown에 이르는 현상을 말함

Avalanche Injection Diode

고저항 게르마늄 펠렛의 한쪽면을 인듐납으로 합금하여 P+영역을 만들고 다른쪽 면에 금 안티몬 선을 본드하여 N+영역을 형성한 구조의 Diode다.

Avalanche Transistor

전자사태 TR이라고도 하며 TR에 낮은 전압을 가했을 때에는 OFF 상태이며 높은 전압을 가했을 때에는 Avalanche Breakdown을 일으켜 충분히 낮은 저항의 ON 상태로 되는 스위칭용의 부성 저항소자이다.

AV 시대 (Audio-Video, 오디오-비디오 시대)

음성(AUDIO)과 영상(VIDEO)을 함께 즐기고자 하는 최근의 경향을 말한다.

Average Outgoing Quality Level(AOQL) 평균출검품질한계.

주어진 Sampling 검사에 있어서, 입고검사품질에 대해 허용 가능한 최대 평균출하품질(AOQ)수준을 말한다.

AWD(Actual Working Day)

실작업 일수.

AWH(Available Workng Hour)

작업가능시간(가용시간)

A.W.W(Acid Waste Water)

산폐수로서 약품중 산을 사용하는 장비에서 배출 되는 폐수를 말함.

Axial Fan 방식

대형 축류 Fan을 사용하여 Clean Room에 공기를 공급, 순환시키는 방식.

 

  

B

 Backward Current

PN 전합에 역방향 전압을 걸었을 때 흐는는 전류를 말한다 (Reverse Current라고도 한다).

Back Flow Effect(배류 효과)

네마틱상에 대한 배향 벡터가 시간적으로 변동 할 때 액정 분자의 흐름을 유기하는 현상을 말한다.

Back Grind(뒷면 연마)

Wafer 뒷면의 불필요한 두께를 갈아내는 것을 말하며, 이는 Fab.공정이 완료된 후 행해지는 공정임

Back Plane

한쪽면에서는 솔더링을 하지 않고 접속시키는 터미날이 있고 다른면에는 일정부분간을 전기적으로 연결시키는 연결소켓이 있는 기관.

Back Panel

Fab. Line에서 Bay간 또는 Room간 차단벽으로 주로 많이 사용되는 것으로 PVC Back Panel이 있다. 이는 공조의 흐름을 유도시키거나 Particle의 유입을 막아 Room별 청정도 유지를 목적으로도 사용된다.

Back Seal Oxide

뒷면 실링 산화막, Wafer내에 포함되어 있는 고농도 불순물에 의한 Outdoping을 감소시키려는 목적으로 Wafer 뒷면에 성장시켜 주는 산화막. Back Side Grind 뒷면 연마. Wafer의 뒷면을 다이아몬드 휠로 연마시키는 작업으로서 조립 공정으로 일정한 두께의 Wafer를 보내기 위한 목적과 Gettering 목적을 동시에 수행함.

Back Side Marking

Device의 Marking시 Lot의 Fab. Site Lot# 등을 기록하기 위해 Device 밑면에 표시하는 Marking.

Back-Annotation

반도체 설계시 layout 작업까지 마친후 layout에서 발생된 기생소자들(캐패시터 및 저항)의 실제값을 추출하여 이 값들을 포함하여 simula-tion하는 작업을 말한다.

Back-Up System

저장탱크에 저장된 액체상태의 질소, 산소 등이 기화기를 거쳐 기화한 후 Gas 상태로 공급될 수 있도록 갖추어진 설비.

Baffle

확산 Gas의 흐름을 Control해 주는 치공구.

Bake

Wafer를 열을 이용하여 굽는 것으로 Pre-Bake, Hard-Bake, Soft-Bake가 있다.

1) Pre-Bake : Wafer에 Resist를 도포하기 전에 Wafer 표면의 습기를 제거하여 150±10℃의 Oven에서 Wafer를 굽는 것.

2) Hard-Bake : Etch전 Wafer 표면의 Resist를 굽는 것.

3) Soft-Bake : 적외선을 이용하여 Photo-Resist를 굳혀 주는 것.

Bank

XT의 경우 1Byte의 Data를 구성하기 위해 256K×1 Memory 8EA와256K×1 Memory 1EA로 9BIT를 구성하는데 이 경우 1Bank는 256KB의 용량 이 된다. AT의 경우는 1개의 Bank는 두개의 소 Bank로 구성되며 각각의 소 Bank(홀수/짝수)는 9BIT로 구성되어 결국 1개의Bank는 18BIT로 구성되며 2BIT의 Parity BIT를 포함한다. 256K ×1DRAM으로 구성시 1개의 Bank는 512KB의 용량이 되며 1M×1DRAM으로 구성하면 2MB의 용량이 된다.

Base Array

ASIC Process중의 일부이며 이는 미리 회로의 기본이 되는 Gate 회로(2 Input Nand gate or 2 Input Nor gate)를 userable gate수별로 array상에 배열한 LSI를 만들어 주는 것을 말한다.

Base Line Spec

반도체소자 제작시 동일한 특성을 얻기 위해 그 소자의 특성에 맞게 process flow를 설정하고 제어하기 위한 지침서.

Base Line

공정 연구소 공정 개발실에서 공정개발이 완료되어 FAB운영실로 이관된 공정.

Base Material(기초제)

표면에 회로를 형성시킬 수 있는 비전도성 물질.

BASIC(Beginner's All-purpose Symbolic Instructon Code)

초심자용 회화용 프로그램 언어

Basic Dimension(기본위치)

어떤 홀이나 부품의 위치를 이론적으로 정확하게 표현한 수치.

Batonnet

등방성 액정상에서 온도를 떨어뜨려 스메틱 봉상(棒狀)의 이방성 액정을 석출시키는 말이다.

Battery Back Up

정전시에 대응하여, 전원의 공급원으로서 battery를 준비해 두는 것. 예를 들면, C-MOS에 건전지로 전력을 보급하는 경우 등이다. 또한, Computer System에서는 일련의 cut down 조작이 가능한 시각(5-10분)을 충전지에서 전력을 공급하고, 치명적인 data파괴를 피하는 대응이 취해져 있다

Battery Back-Up Circuit

휘발성 메모리 제품(DRAM/SRAM)의 데이타를 보관하기 위한 밧데리 회로로서 시스템의 동작시에는 OFF 상태이나, 시스템의 전원이 꺼졌을때는 정상적으로 동작하는 회로. 게임기의 "GAME PACK" 및 "소형 계산기" 등에 활용한다.

B/B Ratio(Book to Bill Ratio)

수주 대 출하 비율 최근 3개월 평균 수주액을 3개월 평균 출하액으로 나눈값.

BC(Bay Controller)

STC와 SECS에 의하여 통신하며 STC에 반송 지령을 주며 그 결과를 받는 일련의 process를 관리한다.

BC(Buried Contact)

POLY1을 N+ Active에 연결하는 contact으로 POC13 doping을 이용한다.

BCD Technology

Bipolar, CMOS, DMOS 트랜지스터를 동일 칩상에서 구현하는 기술로서, 주로 Bipolar 트랜지스터는 고속논리회로 및 아날로그회로, CMOS는 digital logic 및 DMOS의 출력구동에 사용된다. (BCD 기술은 설계의 융통성(filxibility)을 증가시키고 여러개의 분리된 칩을 한 개의 칩으로 구현함으로써 system의 reliability를 증가시킬 수 있으나 공정단가가 높은 단점이 있다.)

BCG Approach(Boston Consulting Group Approach)

보스톤 자문단법, 전략산업단위(SBU)를 성장율과 점유율의 2가지 기준에 따라 평가, 검토하여 성장·점유 매트릭스에 분류하여 표시하는 방법.

BCR(Bar Cod Reader)

Bar Code를 읽어내는 장치

Beam Line

Source에서 생성된 Ion Beam이 통과통로.

Beam Mask

초기에 생성된 사각형의 Beam의 형태를 원형으로 형성시켜, Wafer에 주사되게 차폐 역할을 하는 탄소관.

Beam Spectrum

분자 혼합물의 상태에서 전자와 충돌시켜 양 이온을 생성, 마그네틱 전류의 증감에 따라 각각 따른 이온이 분석되어 좌감축에 나타낸 상태.

Behavioral Description

System의 기술방법으로 input과 output사이의 관계를 computer language와 같이 서술하는 방법이다. 서술언어는 VHDL(very high speed hardware descripition language), HDL 등이 있다.

Bench Test

특정한 모양으로 만들어 놓은 Test Pattern이나 실제 Die를 DC 측정용 계측기를 이용하여 Probing을 하면서 여러 가지 Electrical Parameter를 측정하는 일.

Bent Lead(경사리드)

약 45도로 휘어져 있는 리드.

Bias

치우침. 측정치나 검사결과의 평균과 참값(비교치) 사이의 차이를 나타내는 Systemic error(bias component).

Bias

TR에서 미리 순방향의 직류전압을 가해주어 신호입력이 0인 상태에서도 어느정도의 전류가 흐르게하여 무신호시의 동작점을 미리 어떤 위치로 옮겨와 직류와 겹침으로써 0의 상태로부터 벗어나게 하는 것을 Bias라고 한다.

Bidirectional Buffer

외부 signal에 대한 voltage level을 소자 내부에 맞게 받아들일 수 있고, sense AMP에서 증폭된 data를 external load를 drive하기 위해 사용될 수도 있는 Buffer.

BI-MOS

바이폴라와 MOS를 조합하여 하나의 Chip위에 만든 회로이다

Binary Number System(2진법)

한자리를 0과 1의 두 수만으로 나타내는 수의 표시방법.

B/I(Burn-in)

고온에서 어떤 특정 길이의 시간(예를 들면 83℃, 63시간)동안 회로를 동작시켜 초기 수명 또는 초기 고장이 심사되는 부품 검사의 단계.

Bin

검사한 결과에 따라 양품과 불량 또는 동작속도를 나누는 기준.

예) Bin 1-양품, Bin 13-기능불량, Bin 15-Parameter 불량 등.

Bin 1 Check

Test된 양품의 동작속도 상태를 점검하는 작업.

Binary

우리가 흔히 사용하는 10을 기준으로 한 10진법과 달리 2를 기준으로 한 2진법 숫자로 "1"과 "0"으로 숫자나 문자를 나타내는 것.

Bin Grade Down

Test 각 Step을 진행중 Good Device의 speed나 power 소모도가 변화되어 나쁜 영향으로 변환된 제품.

BIOS(Basic Input Output System)

컴퓨터와 주변장치사이에서 대화를 조작 하는 운영체제의 프로그램 및 부프로그램. PC의 핵심이라 할 수 있으며 PC호환성에 있어서 가장 중요한 요소들 중의 하나이다. System의 전원을 ON시켰을 때 또는 Reset 시켰을 경우 시스템 내부의 모든 장치들을 초기화하는 기능을 수행한다. 내부에는 POST 기능을 포함하고 있으며 Memory Test에서 시스템에 내장된 모든 장치의 기능 Test, 유무를 Check하는 역할을 수행한다.

Bipolar

전자(Electron)와 정공(Hole) 두 종류의 전기매개체가 동원되어 동작되는 형태(또는 이것에 의해 동작되는 Transistor를 말함).

BIT(Binary Digit)

2진수의 자리수의 단위이다. 즉, 2진법의 1011은 4자리 4BIT이다

Bit Line

Memory에서 Data를 저장시키거나 Data를 뽑을 때 Data가 이동되는 통로로서 사용되는 도선.

Bit Map

Memory의 기본동작을 Check하여 Memory내의 각 Data의 저장 Cell이 바로 동작하고 있는지를 표시한 도표(죽은 Cell을 찾아내어 분석하기 위해 사용됨).

Bit Mapper

제조공정이 완료된 반도체의 동작특성 유, 무를 판별하고 Fail Point의 Address 및 Fail 특성을 제공하여 주는 F/A용 Tool.

Bit성 Fail

Device Test 결과 Random한 Address의 Cell이 Fail된 경우.

Black & White SPOT

셀 내부에 이물, 먼지 등이 들어가거나 마스크의 pinhole 등으로 인하여 seak제나 트랜지스터제가 면내에 인쇄되어 포지티브형은 흑점으로 네가티브형은 백점으로 나타나는 현상.

Black Hole

제조기술부에서 F/A시 사용하는 용어로 Contact 부위에서 Contact Pattern과 그 위의 Poly or Metal Pattern과의 Misalign이나 또는 Over Etch로 인하여 Contact Overap이 부족하여 Contact Edge에 Chemical이 침투하여 Contact을 부식시켜 생겨난 Defect.

Black Stripe SM

칼라 액정 디스플레이에서 빛의 투과가 일어나지 않는 트랜지스터나 축전지부분을 검은색의 물질로 덮어서 빛의 간섭을 막아 화질을 높이는데 쓰이는 물질.

Blade Wafer

절단시 사용되는 톱날로서 다이아몬드와 니켈의 합금.

Bleeding(번짐)

鍍金된 홀이 보이거나 갈라짐으로 인하여 변색된 것. 또한 인쇄에서 잉크가 없어야 될 곳에 잉크가 번져 들어간 형태

Blister

밀착된 기초재층들간의 부분적인 들뜸이나 기초재와 표면전도체 막과의 부분적 들뜸.

Block

한 단위로 취급하는 연속된 단어의 집합

Block Factors

Block 인자. Block 인자들은 실험 공간을 Block으로 구분하기위한 근거로 제공된다.

Blow Hole

개스가 분출됨으로써 발생된 땜납(Solder) 보이드.

BN Wafer

Boron이 매우 높게 주입되어 있는 Wafer로서 Boron을 주입하려고하는 Wafer와 마주보게하여 확산공정을 진행할 때 사용하는 Wafer.

BN 보관로

BN Wafer를 보관하는 Tube로 375℃의 온도가 유지되며 N2가 흘러들어감

Boat

확산로에 Wafer를 넣을 때 사용되는 것으로 석영이나 SiC 재질로 만들어져 있으며 Wafer가 한 장씩 세워지도록 홈이 파져 있음.

Boat Holder

Boat가 외부 물질에 닿지 않도록 받쳐주는 것으로 석영 또는 Poly-Si 재질로 되어 있음.

Body Effect

MOS Transistor에서 source와 substrate간의 reversebias에 의해 Threshold voltage가 shift되는 현상으로 substrate 농도에 관계한다.

BoH(Begining on Hand)

작업초 갖고 있는 재고.

Bonding

주로 wire bonding이라고 일컬어 지며 반도체 제품의 조립시 chip의 PAD와 외부단자를 도선으로 연결하는 작업임

Boiler 1 Ton

100℃의 물 1000kg을 1시간 동안에 전부 100℃증기 1000kg으로 만들 수 있는 능력을 말하며 Boiler 용량표시의 척도가 된다

Bond Diode

반도체 표면에 금선을 용접하고 전기펄스에 의해 접합을 형성하는 것.

Bonding Layor(접착증)

다층기판의 밀착시 각각의 층들을 접착시켜서 결합시키는 층.

Bonding Pad

Chip에 Wire를 Bonding 할때 본딩할 부분에 증착한 알루미늄 등의 금속 증착피막 부분을 말한다.

Bond Strength(접착력)

기판의 인접한 두층을 분리시키는데 필요한 단위면적당 수직으로 작용하는 힘의 크기.

Boomerang Effect

선진국이 개발도상국에 제공한 경제원조나 자본투자 결과 현지 생산이 이루어지고 이어서 그 생산제품이 현지 시장수요를 초과하게 되어 선진국에 역수출됨으로써 선진국의 해당산업과 경합하는 것.

Booting

프로그램을 입력하는 방법의 하나로서 최초에 명령을 Read하기 위한 간단한 조작을 해두면 그 다음부터는 그 명령의 Reading을 순차적으로 행하여 최종적으로 완전한 프로그램이 기억장치내에 수용되도록 만들어진 루틴(절차).

Bottom Up Design

트리구조를 아래에서 위로 구성해 나가는 방법으로써 Primitive Cell을 기본으로 Circuit Level, Logic Level, Architechure Level순으로 진행하는 IC 설계방식.

Boulder

FAB 공정중 침적 또는 Diffusion 공정시 정상성장이 되지않고 비정상 성장이나 결정 덩어리에 의해 생겨난 비정상적 성장결정체.

Bow(휨)

wafer 또는 wafer위에 증착된 flim의 인장력을 측정하기 위해 사용되는 휨정도를 의미함.

BPSG (Boron Phosphorus Silicate Glass)

평탄화의 수단으로 사용하는 열에 대한 flow성(850℃에서 Viscosity가 급격히 변하는) 이 좋은 막질임. Oxide Film에 B, P 등의 불순물을 첨가시켜 낮은 온도에서 평탄화되도록 하는데 사용되는 절연막임.

BPT(Bond Pull Test)

본드 인장력 시험으로서의 bondability 측정의 한 방법으로 GRAM weight gauge를 사용하여 ball과 stitch 중간을 들어올려 bond의 인장강도를 측정하는 시험.

Bread Board

IC화 하기전에 개별부품을 사용하여 목적하는 IC회로와 동등한 기능을 갖는 회로를 만들어 그 IC회로의 모의 설계를 하는 것.

Break-Down

PN 접합에 역방향 전압을 가하고 그 전압을 차츰 높여 가면 어떤 전압에서 역방향 전류가 급격히 증가하는 이른바 Breakdown의 현상이 일어난다. 이러한 현상이 일어나는 것은 공간 전하 영역의 전계 강도가 매우 커지기 때문이며, 그 기구로는 avalanche breakdown과 zener breakdown이 있다.

Breakdown Voltage

P-N접합 Diode에서 두 접촉영역 사이로 역방향의 큰 전압을 걸어주면 역방향으로 많은 전류를 흐르게 되며 이때 가해 주는 전압을 Break-down 전압이라 한다.

Break-up

Half Cutting된 Wafer를 Full Cutting 시키는 작업.

Bridging

회로들간의 사이가 전도물질에 의하여 붙어버린 형태.

Broken(깨어짐)

Wafer나 Quartzware가 깨어짐을 말함.

BSI(Business Survey Index)

기업실사지수. 경기에 대한 기업가들의 판단, 장래의 전망 및 대비계획 등을 기업가들로부터 직접 조사, 지수화 함으로써 전반적인 경기동향을 파악하고자 하는 지표를 말한다.

BT Stress(Bias & Temperature Stress)

소자의 신뢰도를 측정하는 방법의 일종으로 Bias(전압)인가와 동시에 온도를 높여서 하는 Stress 인가 방식.

BT Test(Bias and Temperature Test)

TR, Diode 등의 반도체 소자를 고온에서 Bias를 건 상태로 해두는 시험이다.

Bubbler

순수한 물(D-I Water)이 흘러나와 넘치면서 질소가 바닥으로부터 분출되어 Wafer 표면을 헹구어 주는 장치.

Bubble Memory

합금, 석류석 등에 자계를 걸어주어 여러개의 거품같은 모양을 만들어 놓은 기억소자.

Buffer

어떤 논리회로와 다른 논리회로를 결합할 때 그 직접결합에 의한 나쁜 영향을 피하기 위해 단간에 삽입하는 회로를 말한다.

Buffer Memory

2개의 장치사이에서 동작속도가 다를 때 그 중간에 마련하여 양자의 속도, 시간의 조정 등을 하는 메모리를 말한다.

Build-up

건물전체를 한 공조기로 하고 그 내부에 팬, 코일 및 필터를 설치하고 공기조화 하는 것.

Buried Layer

Transistor에서 Collector 저항을 줄이기 위하여 Collector 하부에 형성하는 낮은 저항 영역.

Buried Via Hole

완전히 관통이 되지 않고 중간이 막힌 비아홀.

Burr

절단, Trim 공정시 발생하는 불량의 한 항목으로 Lead 끝이나 몸체에 혹처럼 찌꺼기가 붙어 있는 것.

Burn in

제품의 잠재적인 불량을 초기에 발견하기 위하여 제품에 고온(85℃∼ 125℃)으로 Device에 열적 Stress를 인가하여 Test하는 것이며, IC가 실제 사용할 때 사용가능하도록 신뢰성(Reliability)를 높여주기 위해 실제 사용상태보다 높은 전압, 전류 등의 Parameter를 가하여 장시간 Over Stress를 행하는 Test.

Burner

고압의 공기 또는 증기를 사용하여 고점도의 액체 연료를 무화시킨 후 분사시키는 장치.

Burnt

Burn-in 중 Device 결함 혹은 외부의 과도한 전기적 Stress로 인하여 High Current가 Device내부를 흐름으로 인해 Device가 고온으로 가열되어 깨어지거나 변색되는 현상.

Bus

정보전달 장치 사이에서 정보가 전달되기 위한 길.

Bus Clock

Slot에 장착되는 기존의 ADD-ON Card에 호환성을 유지하기 위하여 I/O Channel에 공급되며, 24MHz의 주파수를 3분주시켜 8MHz를 Bus Clock으로 사용하고 있다.

BVcob(Collector-Base Breakdown Voltage with Emitter Open)

에미터 단자 Open 상태의 콜렉터-베이스간 역전압, 에미터 회로를 개방하고 Collector와 Base 단자사이에 Breakdown이 일어나기 전까지 가할 수 있는 최대 역방향 바이어스 전압.

BVcer(Collector-Emitter Breakdown Voltage With Specified Resistance)

베이스 단자와 에미터 단자간 일정한 저항을 연결한 상태에서의 콜렉터-에미터간 역전압.

BVces(Collecter-Emitter Breakdown Voltage With Emitter Short-Circuited to Base)

베이스-에미터간을 Short한 상태에서의 콜랙터-에미터간 역전압.

BVcev(Collector-Emitter Voltage with Specified Reverse Voltage Betweem Emitter And Base)

에미터-베이스간 역전압인가 상태에서의 콜렉터-에미터 전압.

BVebo(Emiitter-Base Breakdown Voltage With Collector Open)

Collector 단자 open 상태에서의 에미터-베이스간 역전압.

Byte

보통 8개의 Bit를 1Byte라 하며 Computer에서 한개의 숫자나 문자 또는 부호를 나타내는데 쓰이며 Word의 한 단위로 사용된다.

 

 

 

 

C

 CAD(Computer Aided Design)

컴퓨터에 기억되어 있는 설계 정보를 그래픽 디스플레이장치로 출력하여 화면을 보면서 설계하는것(컴퓨터을 이용하여 설계를 하고 도면을 그려내는 것).

CAD Software

반도체 제품의 설계  및 개발업무에 관련된 CAD  Program을 총칭한다.

CAE(Computer Aided Engineering)

CAD로 만든 모델의 성능을 컴퓨터 내에서 상세하게 검토하여 그 데이터를 토대로 모델을 수정하는  System(컴퓨터를 이용하여 모의 실험(Simulation)을 하는 Tools).

CAI(Common Air Interface).

CAI(Computer Assisted Instruction)

교재나  학습용 프로그램을 바탕으로 컴퓨터를 통해 대화식으로 학습하는 것을 말함.

Calibration

최고 정도의 국가표준원기와의 소급성(Trace ability)유지를 위하여  하위급의 표준기기 또는 정밀 계측기기를 정밀한 정밀측정 절차에 따라 비교검사하여 하위계측기기의 정밀, 정확도에 대한 편이를

검출, 조정하고 수정하는 행위를 말함(교정).

Calibration Interval

계측기기의 주어진 정밀, 정확도를 유지하기 위한  교정 유효 기간으로  교정일로부터 차기 교정일까지의 기간을 말함(교정 검사 주기).

Calibration Master Standard

2차급 이하의 교정검사 기관 및 산업체가 유지 해야 할 표준기로써 공장용 기준기  및 정밀계측기기의 교정 및 검증에  사용되는 표준(교정 검사용).

CAM(Computer Aided Manufacturing)

컴퓨터 이용에 의한 제조방법으로서, CAD System으로 설계한 설계도의 데이터를 토대로 NC(Numerical Control: 수치제어)공작 기계 등의 생산  설비를 제어하여 제품을 생산하는 장비.

Capacitance

전하를 축적할 수 있는 용량.

Capatiance Voltage Characteris

MOS 구조에 있어, 반도체 기판의 상태, 산화막 속의 오염상태, 반도체 기판과 산화막과의 계면상태  등을 알기 위하여 사용되는 용량과 전압의 특성. MOS 구조에 있어서는,  금속전극에 가한 전압에 의해, 산화 silicon막 아래의 반도체 표면상태가  축적상태, 공핍상태, 안정상태로 변화한다.

Capacitor

전하를 저장할 수 있는 제품(콘덴서).

Capillary

Wire Bonding 공정에서 Chip과  Lead Frame의 Load를 Wire로 연결시키는 도구.

CAPS(Computer Aided Publishing System)

컴퓨터 출판 시스템.

Capture Center

캐리어를 일시적으로 잡아두는 금지대 속의 에너지 준위.

Carrier

전류를 구성하는 기본적인 주체(전자, 전공).

Carrier

Wafer를 담는 용기로 25장을 담을 수 있는  홈이 있다. 종류로는 청색 캐리어(Blue Carrier), 흑색 캐리어(Black Carrier), 백색 캐리어(White Carrrier), 금속 캐리어(Metal Carrier)가 있다.

     1) Blue Carrier : Poly Propylene 재질로 되어 있으며, 색은 청색임.                               화공약품에는 강하나 열에 약함.

     2) White Carrier : Teflon 재질로 되어 있으며, 색은 백색임.

                             화공약품과 열에 모두 강하며 가격이 비싸고 무거움.

Carrier Generation

열평형 상태에서 반도체에 있는 carrier들은  주위 온도에 대응하는 평균 열에너지를 가진다. 이 열에너지는  Valence Electron들중 일부를  Conduction Band로의 천이과정 속에서 Electron과 Hole의 쌍을 생산하게 된다. 이 과정을 Carrier Generation이라고 한다.

Carrier Handler

Wafer를 취급하는 도구.

Cart  Wafer

strage box를 운반하는 도구.

Cascade

3단으로 되어 있는 작은 폭포로써 순수한 물(D-I  Water)이 흐르면서 바닥으로부터 질소가 분출되도록 만들어져 있어 Wafer를 헹구는 장치.

CASE  Computer Aided Software Engineering.

Cash Memory

Main memory와 CPU 사이에서 마련한 고속의 기억장치.

CAT(Category)

Bin과 같은 개념임.

CATV(유선텔레비젼) (Cable Television)

난시청을 해소하기 위한 대책으로 개발된 것. 동축 케이블 등으로 국과 가정을 연결하여 양질의 채널을 확보함으로써 방송 및 기타 정보 서비스에도 자주 이용된다.

Cavity

금형내에 PKG를 형성하게끔 만드는 PKG 모양의 동공.

Cavitation

운전중인 pump에서 물의 온도에 의하여 증기압보다 낮아져 물 속의  공기, 수증기가 분리, 기포가 발생하여 공동을 만드는 현상.

CBIC(Cell Based IC)

MASK를 제작하여 공정을 거치게 하는 설계방식으로써 CAD software를 이용하여 Library를 배치·배선한다.

CBR(CAS Before RAS)

RAS가 Low 되기전에 CAS가 Low되어 Refresh가 일어난다.

CC(LIM Central   Controller)

STC로부터 공정간 반송  지령을  받아서 stocker간의 cassette 반송을  제어한다.

C&C(Computers and Communications)

컴퓨터 기술과 통신기술의 완벽한 조합.

CCD(Charge Coupled Device)  전하결합소자(電荷結合素子).

미국 벨연구소가 개발한 새로운 반도체 소자이다.  종래의 트랜지스터  소자와 달리 신호를 축적(기억)하고 전송하는  2가지 기능을 동시 갖추고 있다. 사람의 눈(目) 역할을  하는 전자 눈으로도 각광을 받고 있다.

CCM(Cell Control Manager)

Factory Automation System에서 Host Level의 program군(群)으로서 일련의 공정들을 제어한다.

CCST(Constant Current Stress Time)

Dielectric Film의  Life time을 측정하는 방법을 TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)라 하는 데  이는 일정한 시간을 측정하는 방법이다.  그 중 CCST는 보통 단위 면적당 100mmA/㎠ 의 일정한 전류를 Plate Poly에 가해 Dielectric  Film의 Breakdown이 일어나는 시간을 측정하는 방법.

CCTV(페쇄회로 텔레비젼 Closed Circuit Television)

동축 케이블이나 마이크로 웨이브 링크(Micro Wave Link)등 제어접근이 가능한 다른 전송매체만을 방송신호로 사용하는 텔레비젼.

CD(Critical Dimension)

사진공정과 식각공정을 진행한 후 규정된 규격에 의해 공정이 진행되었는지 점검할 때 사용.

     1) ADI(After Develop Inspection) : Wafer 현상후 현상부위의 폭이나 가격을 잰값.

     2) ACI(After Clean Inspection)   : Wafer 식각 및 Strip 후 식각부위의 폭이나 가격을 잰값.

CD-ROM(재생전용 Disk : Compact Disk Read Only Memory)

CD(광디스크)처럼 공장에서 제조시 기록한 정보만을 읽을 수 있는 Disk.

CDI(Collector Diffusion Isolation)   바이폴라 IC에 필요한 분리법으로  IC의 집적도를 높이기위해  분리에 필요로 하는 면적을 되도록 작게 하는 방법이다.

CDP(Career Development Plan)

파벌이나 인간관계에 기초한 인사이동이 아니라 사원의 자기실현에 대한 희망, 장래의 목표 등을 듣고 능력이나 경험을 정확히 파악한 다음 계획적으로 직장의 훈련이나 연수를 진행시켜 가는 제도.

CDP  Compact Disk Player.

Cell

RAM이나 ROM 등 IC의 가장 작은  기억소자를 말하며 보통 Transistor,  Capacitor, Resistor 등으로 구성되어 있고 1Bit의 정보를 저장할 수 있다.

Cell

급. 히스토그램의 축을 따라서 관측된 개별 값들을 정해진 경계치내로 집단화한 것을 말한다.

Cell Boundaries

급경계. 급 내에 포함될 모든 값들을 포함하는  급의 양단 값을 말한다. 일반적으로 급경계치는 그려질 data 보다 더 중요한 의미를 갖는다.

Cell Deviations(d)  급간 편차.

계산을 쉽게하기 위해, 보통  모든 급의 중심치로부터 상수 A를 빼는  방법에의해 data를 부호화하는 것이 바람직하다.  A와  같도록 선택된 급의 중심치 Xm은 급의 중앙을 나타낸다. 모든 다른  급들은 그들이  중앙 급으로부터 떨어져 있는 급의 수로 나타낸다. 중앙  급은 Xm=A이기 때문에 그 거리 d=o이다. A보다 큰 값을 갖는 급은 '+', A보다 작은 값을 갖는 급은 '-' 값을 갖는다.

Cell GAP

LCD의 액정이 주입되는 앞  유리기판과 뒷 유리기판 사이의 폭, 즉 액정층의 두께를 의미한다.

Cell IMP

Mask  ROM에 있어서  한 Bit의  저장정보 상태를  결정하여 주는 Implant 공정을 말하며, P-Well의 경우 Boron을 주입하여 TR을 compensate시켜 문턱전압을 상승시킴

Cell Interval(i)

급 구간(간격). 급경계 사이의 거리를 말한다.

Cell Library

고유의 function을 갖는 primitive cell인 NAND, NOR, XOR 등을 지칭하는 것으로서 각각의 Cell에는 Logic Symbol, Electrical data와 Layout이 한 조로 구성되어 있다.

Cell Midpoint(Xm)  급 중심치.

두 급 경계치 사이의 평균값을 말한다. 일반적으로 급에서 관측된 모든 값들의 중심값을 말한다.

Ceramic

비금속의 비정질 재료를  칭하는 것이나 일반적으로 유리를  포함하지 않는 것이 보통이다.

Cer-DIP(Ceramic Dual In-Line Package)

재질이 Ceramic이며 Lead 배열이 양쪽인 PKG.

Certification

교정된 계측기기가 주어진 기준치와 일치됨을 인정하거나 측정값을 보증하는 행위를 말함(검증).

Centeral Line  중심선.

관리도상에서 오랜기간 동안의 평균을 표시하거나 관리도 위에 찍히는 통계적 측정치들의 기준이   되는 값.

Central Processing Unit(CPU)

중앙처리장치.

CG(Computer Graphics)

컴퓨터 그래픽스. 컴퓨터에 의한 화상처리.

CGA(Color Graphics Adapter)

IBM PC용으로 제공된 최초의 2개의 디스플레이 보드들 중의  하나이다. (나머지  하나는 흑백 디스플레이/프린터 어댑터(MDA)) 최고 640*200그래픽스(흑백)를 가지고 있어 기껏해야 80행*25열의 텍스트만을 표현할 수 있다.

Chance Cause(Random Causes)  우연원인.

일반적으로 다수이며, 개별적이고, 상대적으로 덜 중요한 요소이지만 산포에 영향을 끼치는 원인을 규명할 수 없는 요소들.

Chance Variation(Random Variation)  우연원인에 기인한 변동.

Channel

MOS Transistor의 Gate아래 부분으로 다수 반송자를 형성하여 전류가 흐른 길.  P-Channel, N-channel 두가지가 있다.

Characterization Testing

특성 분석을 의미하며, 제품이 전기적 규격을 만족하는지 여부보다 실제 측정치가 전압, 온도 등에 따라 어떠한 특성이 있는지 분석 시험하는 것을 말한다. 따라서  test time은 크게  부각되지 않으며,  가장 정확한 data를 얻는 것에 주안점이 있다.

Charge  전하.

Charge Coupled Device(CCD)  전하 결합소자.

Chip

전기로 속에서 가공된 전자회로가 들어있는 작은(한변길이  0.5-10㎜정도) 포장되기 직전의 얇고 네모난 반도체 조각(Die와 같다). 수동소자, 능동소자, 또는 집적회로가 만들어진 반도체.

Chip Select

많은 LSI 칩중에서 특정의  칩하나를 선택하는데 사용되는 LSI의 입력단자나 신호.

Chip-Set

System을 구성하는 다수의 component(TTL, Controller, PLL 등)를  여러개 혹은 하나의 chip으로 구현한 것. 따라서 chipset은 그에 맞는 다수의 system solution 및 software와 함께 제공되어진다.

Chiral

거울에 비친 분자의 상이 원래의 상과 다른 것을 의미한다.

Chiral Nematic Phase

액정상으로는 콜레스테릭 액정과 같은 것의  별칭이다. 당초 이 종의 액정상에는 cholestric 유도체 특징이 보임에 따라  콜레스테릭상이라는 명칭이 이용되었지만 그 후 네마틱상을 주는  화합물과 유사구조의 카이랄 화합물이 같은 콜레스테릭상을 주는 데서 명칭이 붙었다.

Chiral Pitch   네마틱 액정에 카이랄제를 첨가하면 분자 배열 나선 구조를 갖는다. 이 나선의 주기를 말한다.

Chokralsky Method  Chokralsky가 고안한 단결정 반도체 제조방법.

Chromaticity(色度)

색 평가는 일반적으로 색상, 명도, 채도의 3요소로서  행해지지만, 이것들을 총칭해서 색도라고 부르고 있다.

Chrome Mask

Mask의 한 종류로 유리 원판위에 chrome(금속) 박막으로 회로가 인쇄된 Mask.

Chuck

공작 기기에서 작업물 또는 공구를 고정하기 위한 장치를 말하며,  반도체 공정에서는 Wafer Test시 Wafer를 고정시키고 적절한 온도를 가해주는 원형으로된  Prober의 특정부분을 의미한다.

Chuck Table

절단작업을 하기 위하여 Wafer를 올려놓는 치구를 말함(진공으로 고정시킬 수 있게 되어 있음)

CHW(Chilled Water)

냉동기에서 열을 빼앗겨 차거워지는 냉수로서 공기조화에 사용됨.

CIM(Computer Integrated Manufacturing)

제조업체 있어서  기술, 생산, 판매의 제기능을 경영전략하에서 통합하는 정보시스템이다.

CIQ  Customs Immigration Quar의 약칭,

출입국 때 반드시 쳐야 하는 3대  수속.

CISC(Complex Instruction Set Computer)

여러 명령어가 복합적으로 존재하는 상태에서 동작이 전개되는 컴퓨터로서 종래부터 전통적으로 쓰여오고  있는 컴퓨터.

Clad

비교적 얇은 금속층이 양쪽면에 결합이 된 기본재(Base Material)의 상태.

Claim

수입업자가 상대방인 수출업자에 대해 계약을 완전하게 이행하지 않았다는 이유로 지불거절, 지불연기 또는 손해배상 등을 요구하는 것을 말한다.

Clamp Pressure

조임쇠 압력, 상하 금형을 맞 물리는데 필요한 압력.

Clean Class(청정도)

청정실내에 공급되는 공기중의 Particle 관리정도에 따라 등급을 정한것.  1M DRAM의 청정실은 0.1㎛의 Particle를 기준으로 결정.  통상 0.5㎛이상의 공중입자가 1ft3 체적내에 있는 Particle의 수를 말함.

Cleaness

청정도. 먼지나 오염물질의 오염정도를 표시하는 기준.

Cleaning

Wafer나 Carrier 등을 화공약품 및 순수한 물(D.I  Water)을 이용하여 깨끗하게 하는 것을 말함.

Clean Paper  먼지가 발생하지 않는 종이.

Clean Room(청정실)

공기의 온도, 습도 및 Particle이 작업공정에 적합하게 인위적으로 조절 관리되는 실내공간.

Clearance Hole

기판기본재에 형성이 되어 있는 홀과 동일한 축을 형성하고 있으나  크기는 더 큰 전도성회로층에 형성되어 있는 Hole.

Clinched Lead

기관의 홀속에 삽입되어 솔더링이전에 부품이 떨어져 나가는 것을 방지하는 역할을 하는 리드.

Clock Pulse

논리회로에서 일정한 주기의 펄스를 게이트의 1개  입력단자에 가해두고  이 펄스와 AND를 잡음으로써 시간의 규제와 파형의  정형을 하는 경우가  많은 데 이와 같은 펄스를 Clock Pulse라고 한다.

Cluster

터미날 또는 컴퓨터화된 시스템으로부터 일반적인 통신통로를 분배하는  입출력 장치들의 집단. 이것은 컴퓨터와 클러스터간의  설비사이에 정보의 흐름을 관리하는 로칼 클러스터 콘트롤러에 의해 운영된다.

C-MOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)

N Channel, P Channel의 두 MOS Transistor가 합해서 기능을 발하는 복합체로써  낮은 전력소모와 높은 Noise Margin 기타 신뢰성에 잇점이 있다.

C2MOS  Clocked CMOS. 시계용 CMOS.

C-Mos 외검 검사표

Lot 크기의 단위 및 불량 항목을 나타내는 표.

CMS(Central Monitoring System)  중앙 감시장치.

Coating

감광막, 절연막 또는  금속막을 Wafer 표면에 균일하게  증착하는 (바르는)과정.

COB(Chip on Board)

PCB Board에 Die를 붙인 것.

Cob(Collector Capacitance)

콜렉터 용량 Collector- Base 간의 PN접합 용량.

CO2 Bubbler  Wafer

고압 세정시 정전기 발생을 억제하기 위하여 CO2를 공급하는 장치.

CO-Processor

Main processor에서 제공하지 못하는 특정용도의  instruction을 가진  processor. Main processor와 함께 사용되어, floating-point 연산을  하는 match-coprocessor, graphic 기능을 하는 graphic coprocessor 등이 있다.

CODEC(Coder and Decodr)

ADC와 DAC를 one chip화한 IC.

COG(Chip On Glass)

액정 패널의 유리기판위에 드라이버  대규모 집적 회로를 직접 내장하는 방식으로, 초박형, 경량화로 인해 접속피치의 미세화에 대응하는  새로운 실장방식이다.

Cold Solder Joint(콜드솔더결합)

불충분한 가열 및 솔더링의 불충분한 세척이나 솔더의 오염으로 인하여  솔더표면이 젖고 균일하지 못하며 구멍이 많은 상태의 솔더 결합.

Cold Test

제품을 강제로 저온상태에서 검사하는 것 (-18℃ 이하).

Collector

접합 Transistor에서 출력이 나오는 부분.

Collet

Chip을 Lead Fram에 접착시키는데 Expanding Tape에 접착된 Chip을  Lead Frame에 붙이는 도구.

Color

적(R) 녹(G) 청(B)의 색소를 가지는 표시체를 가리킨다. 각 화소가  0 또는 1의 무계조 혹은 저계조이면 multi 칼라라고  부르고, 계조수가 영상을 표현할 정도로 많으면(64 level이상) full 칼라라고 한다.

Column

액화된 공기를 비점차에 의해 질소와 산소,  아르곤 등으로 분류시키는 정류탑.

Column성 Fail

Device Test결과 일정한 Y Address, 변화하는 X Address를 갖는 Cell들이  연속적으로 Fail된 경우.

Combinational Circuit(조합회로)

기본 게이트인 NAND, NOR 등을 조합한 비교적 기본적인 Digital 회로.

Common

전기를 공급시키는 단자중 접지되는 공통단자를 의미함(Ground).

Comparator

두 개의 입력을 받아서 그 진폭의 크기를 비교하여 요구되는 신호를 선정하는 비교증폭기.

Complementary Circuit(상보형 회로)

바이폴라 또는 유니폴라로서 극성이 반대인 TR을 접속하여 하나의 기능을 갖게하는 회로를 말한다.

Compound

선 연결된 반제품을 포장하고 성형 재료로서 화합물인 수지에  각종  배합제를 가하여 성형가공하기 쉽게 만든 열경화성 수지.

Compound Semiconductor  화합물 반도체.

Component(컴포넌트)

개개의 부품을 뜻함. 혹은 함계 결합되어지면 일정한 기능을 수행할 수  있는 부품들의 조화된 상태를 말함.

Component Density(컴포넌트 밀도)

기관의 단위면적당 부품의 양.

Component Lead Hole(컴포넌트 리드 홀)

부품단자를 전기적으로 연결시키거나 부착시키는 역할을 하는 홀.

Component Pin(부품핀)

부품으로부터 연결이 되어 기계적이나 전기적인 연결을 한다.

Component Side(부품면)

인쇄회로기판 중 대부분의 부품들이 실장되는 면.

Compound Device

하나의 케이스속에 2개 이상의  회로소자를 포함하는 것을 복합부품이라고 한다.

Compressor  공기압축기.

Computer Network  컴퓨터 네트워크.

복수의  컴퓨터 혹은 1대의 초대형기와 다수의 단말기를 통신회선으로 연결하여 효율적인  데이터 전송을 하기 위한  통신망.

Computer Virus  컴퓨터 바이러스.

정상적인 컴퓨터 내에  침입해 데이터나 파일을 파괴하거나  다른 프로그램을 못쓰게 만들어 버리는 악성 프로그램.

Condenser(콘덴서)

기본적으로 2장의 전극사이에 유전체를 둔 구조.

Conductance

저항의 역수로서 도전도라고 하며 전류가 흐르기 쉬운 정도를 말한다.  교류회로에서는 어드미텐스 Y가 Y-G-jB로 표시되는데 이식의 G가 컨덕텐스이다. 병력 컨덕텐스위 합성치는 각 컨덕텐스의 합이 되므로 병렬회로의 계산에 이용하면 편리하다.

Conduction Band(전도대)

결정이 갖는 전자의 에너지  상태를 에너지대로 표현했을 때 가장  에너지 값이 작은, 즉 맨위에  있는 에너지대로서 수용 가능한 수의 전자로 충만되어 있지 않은 상태에 있는 에너지대.

Conductivity(전기 전도도)

전기가 통하기 쉬운 정도를 나타내는 양으로 전기 저항의 역수이다.

Conductor(도체)

전기가 통하는 것(비저항이 10E -6 ∼ -4㎝ 정도의 범위).

Conductor Side(회로면)

단면 인쇄기판 중 회로를 포함하는 면.

Conductor Spacing(회로간격)

회로면에 있어서의 회로와 회로의 간격.

Contact(TEST)

통상 Continuity Test라고 칭하며, tester interface와 device  사이의 접촉 혹은 연결이 정확히 되었는가를 확인하는 것이다.  이 Test는 보통 각 IC pin의 protection diode에 순방향으로  전류를 인가하고 전압을 측정함으로써  가능하다.

Contact Potential(접촉전위)

일반적으로 두 종류의 금속을 접촉시키면 한쪽에서 다른쪽으로 전자가  이동하여 두 금속간에 전위차가 생기는데 이 접촉 자체로부터 유기되는 두 물질간의 전위차를 접촉전위라고 한다.

Contrast Ratio

디스플레이상에서 일정 조건의 빛을 조사할  때 액정 표시기의 밝은 부분과 어두운 부분의 정도의  명암의 대조를 의미한다. 즉  화면의 백과 흑 각각의 경우의 광의 투과량의 비에 의해 정의된다.

Concuctor Width(회로폭)

기판의 위에서 회로를 내려다 보았을 때의 가장 넓은 부분.

Conformal Coating

기판의 부품결합이 완전히 끝난상태에서 표면을 절연체로 실시하는 코팅.

Confounding

교략. 타인자나 Block 인자 또는 교호작용에 의한 효과와 인자간의 미소한 효과나 인자의 주효과가 구분되지 않고 결합(혼합)되는 것을 말한다.

Connector Area(단자부)

외부와 전기적으로 연결될 수 있도록 사용되는 부분.

Console

컴퓨터 시스템의 일부분으로서 관리자 또는 조작원과 컴퓨터 사이에 대화(연락)을 할 수 있는 장치.

Contact Resistence

Metal과 Wafer표면 접합부의 전기적 저항 크기.

Contact Spacing(접촉간격)

인접단자 각각의 중간선 간의 거리.

Contact Spiking

Al이 P/N 접합면과 Alloy 되었을 때 Junction이  매우 얇은  Junction을 침범하여 Spike 모양으로 Alloy된 현상을 말한다.

Contamination  오염.

Control Chart

공정이 통계적 관리상태 인지 아닌지를 평가하기 위한 도식적인  방법으로 관리한계와 통계적 측정치를 비교하여 관리상태를 판단한다.

Control Chart-Standard given  해석용 관리도.

관리도상의 점들에 대해 적용 할 수 있도록 채택된 기준값을 근거로 한 관리한계선을 가지고 있는 관리도.

Control Gate

2  Polysilicon Stacked   Structure를 가지는 Non-Valatile Memory중 실제적 Gate 역할을  하는 전극으로서, 이 Electrode의  Bias 상태에  의하여 소자의 Program과 Erase가 수행되어 진다.

Control Limit

관리한계. data가 안정상태인가 아닌가를 판단하는 기준으로 또는 어떤 조치가 필요한지의 기준으로 사용되는 관리도상의 한계.

Continuous Sampling Plan

연속 Sampling법. 개별단위체의  합·부판정을 포함하고 전수검사의  선택적 주기와 검사제품의 품질에  따라 sampling을 적용하는 개별 제품단위의 연속체에 적용하기 위한 sampling 계획을 말한다.

Conventional Memory

DOS에 의해 인식되고 관리될 수  있는 Memory 영역을 말하며  640KB로 제한되며   Base  Memory라고도 한다.  그 이상의   영역은  Expanded Memory와 Extended Memory를 동시에 사용할 수 있다.

Converter

     1) 주파수 변환의 동작을 하는 회로.

     2) 직류의 전압을 바꾸는 장치.

Cooker Test

용기속에 물을 넣고 거기에 TR, Diode, IC 등을 함께 넣어서 뚜껑을 밀폐하여 가열하는 시험.

Coplanar Structure

트랜지스터 공정에서 게이트와 소오스드레인 전극이 활성층의 위에 있는 구조.

Core

Embedded IC에서 Micro-operation과 ALU 등의 CPU기능을 하는 핵심  Block을 주변회로(Peripherals)에 대응하여 Core라 한다.

Correlation

검사장비의 상태를 점검하고 검사되는 제품이 정확히 검사되는지를  확인하기 위하여 점검하는 시점을 기준으로 그 이전의 장비상태를 비교하는 방법.

Correlation Coefficient 상관계수.

두 변수들 간의 직선관계의 정도로 -1에서 1사이의 숫자로 나타난다.   +1이나 -1의 상관계수는 두 변수가 완전히 직선관계임을 나타내고  r=0이면 상관 관계가 전혀 없음을 나타낸다.

Corrosion(부식현상)

Al식각 후 Etchant Gas에 의해 Al2O2가 되어 Metal이 부식되는 현상.

Cosmetic Appearance(외관 규격)

액정 패널의 외관성의 규격을 결정하기 위한 것으로 액정 표시소자의  응용분야 및 고객의 요구 정도에 따라 A급, E급, B급 으로 나누어진다.  A급은 자동차용 Instrument panel 등 주요고객, E급은 산업용

(Car-audio), B급은 Game기용 등이다

Covalent Bond(공유결합)

몇 개의 원자가 모여서 분자를 이룰 때 양쪽 원자에서 전자가 하나씩 쌍을 이루어 결합하게 되면 매우 안정하고 강한 결합력을 가지게 된다.  이것은 서로 상대방의 원자가 갖는 전자를 공유하는 결합상태이므로 공유결합이라 한다.

Covariance  공분산.

(σxy는 모집단들, sxy는 시료들 사이의 공분산) 두변수들 사이의 상관관계 정도.

Cooling Water

냉동기에서 냉매의 압축열을 흡수하는 냉각수(CW).

CP/M(Control Program For Micro-Computer)

8비트 및 16비트  개인용 컴퓨터의 표준운영체제.

CPM(Central Particle Monitoring System)

중앙집중식 먼지관리 System.

CPO(Customer Product Operation)

소비자 요구 수준 만족을  위한 Device의 특수 Test를 말하며 이는 Customer의 Special Spec을 적용함.

CPS(Characters Per Second)

1초간에 전송할 수 있는  숫자수, 주로 프린터가 1분간 프린트할 수 있는 능력(속도) 나타낸다.

CPU(Central Processing Unit)

Computer의 일부분으로서 명령을 수행하기 위한 지시나 제어, 연산기능을  갖고 있는 부분으로 인간의 두뇌에 해당하는 부분.

Crack

금감. 즉, 절단시 충격, 또는 Stress차에 의한 Chip, 막질 혹은  PKG 몸체에 금이 가는 현상.

Cradle

Chip Mount를 연속적으로 하기위해 사용하는 금속 리본을 말하며 베이스 리본, 콘 따위와 같은 것이다.

Crazing

밀착된 기초재의 내부에서 화이버교차시 교차부분에서 화이버가 분리되는 상태.

Critical Energy

Ion 주입시 Beam Energy의 크기가  높아 불순물이 Mask막질을 투과하여 Implant되는 위험 Energy를 말함.

Cross Section(절단면)

절단면을 말하며, 여러 가지 Layer로 형성된 Pattern의  모양을 관찰하기 위해 Layer의 수직방향으로 잘라놓은 단면모양.

Cross Talk

시그날회로 사이에서의 에너지로 서로 영향을 미쳐 방해를  일으키는 상태.

Cross-over

IC가 복잡해지면 배선을 입체적으로 교차시키는 것을 말한다.

Crow Feet

WF 표면의 새 발자국 형태의 결함.

Crystal Osillator

수정 진동자의 안정성과 압전현상을 이용하여 전자회로의 발진기를 형성시키는 것.

CTN(Complementary TN)

각 화소의 액정분자에 두 가지 상반된  방향을 주어 보다 넓은 시야각을 가능케한 특수 유형의 LCD 결정.

CUM GRAPH(Cumulative Grapth)

임의의 data를  통계적으로 관찰하기 위해 전체 data의 수를 정규화하고  data의  값에 따라 누적하면서  도식화한 그림.  Wafer내의 각 die에  관한 정보와 같은 행열 구조의 data를 통계적으로  관찰하기 위해 동일 위치의 die(element)의 data를 누적하여 전체  행열(wafer)의 분포를 볼 수 있게 한 그림.

Cumulative Frequency Distribution

누적 도수분포. 특별한  급경계치보다 크거나 작은 발생 빈도를 갖는 개별 관측치들의 조합을 말한다.

Cure

경화, 즉 PKG를 인쇄후나 성형후에 단단하게 굳히는 작업.

Custom IC

고객(Custom IC)의 주문에 의한 사양으로 작성되는 IC.

Customer Layer

ASIC process의 일부로서 수많은 gate를 array상에 배열하는  base array  process가 완료된 후  이를 user가 요구하는 기능에 맞추어 각 gate를 연결하는 배선 process라 할 수 있다.

CUT-OFF Frequency

액정 소자가 어느 이상의 주파수로 인해 교류 구동으로 추종할 수 없게 되는 한계 주파수를 의미함.

Cut Stroke  절단범위.

CV(Cleaning Vacuum)

청소용 진공으로서 라인내 청소시 사용된다.

CV(Count Variance)  수량차이.

CVD(Chemical Vapor Deposition)

APCVD 상압증착, LPCVD  저압증착방식 등으로 분자기체를 반응시켜  Wafer  표면위에 Poly나 Nitride, PSG,  BPSG, LTO 등의 막질을 형성시키는 공정.

C-V Plot(Capacitance Versus Voltage Plot)

Wafer의 정전용량 특성을 도면화하여 산화막의 막질평가, 오염도(정전용량, 두께, 문턱전압,  농도)를 파악하는 기법.

CVST(Constant Voltage Stress Time)

절연막의 신뢰성을 측정하는 한 방법으로 일정한 전압을 인가하여  절연막이 깨질때까지의 시간을 말함.

Cycle

Function Test에서 패턴이나 벡터를 Device에 인가하고 다음번 패턴이나 벡터를 인가하기까지의 시간.

Cycle Time

주기적으로 일어나는 연속동작의 최소시간 간격을 말한다.

CRT(Cdthode-Ray Tube)

가장 고전적인 화상 전달방법으로 브라운관으로 알려져 있다.

Cryo-Pump

고진공 펌프로써 극 저온에 의한 Gas 흡수 및 흡착식 펌프.

CQ(Conditional Qualification)

조건부 양산 승인.

CT(Cardless Telephone)

CTE(Coefficient of Thermal Expansion)

열팽창 계수.

CTM(Clean Tunnel Module)

천정  전체를 Hepa Filter를 사용하여  최적의 Clean Room을 유지시킬  수 있는 공조방식으로 A Class까지 유지할 수 있다. 풍속은 약 0.3m/s  정도이며 환기 회수는 약 700회/h정도이다. 바닥  Grating사용으로  Down Flow로 하는 것이 가장 좋은 Clean 유지를  할 수 있고, 그 외  수평형이나 Hepa Box를 사용한 난류형으로도 사용된다.

CTS(Computerized Typesetting System)

전자식자 조판 시스템으로  설명되며 출판물의 제작에 있어  편집과  조판과정을 표준화하고 전산화하여  편집부와 조판부, 인쇄부를 컴퓨터로 연결하는 것이다.

CU(Control Unit)

Timing, 제어신호를 생성.

Culvert

용역동과 각 라인 및 기타동에 유틸리티를 공급.

 

 

 

D

 D(Demerit)

Quality score의 가중치를 얻기 위한 수단을 제공하기 위해서 사건이나 사상의 구분을 위해 정해놓은 가중치.

D-A 변환기(Digital to Analog  Converter)

디지탈 신호를  입력으로 하여 Analog신호를 출력으로 꺼내는 회로를 말한다.

DA(Die Attach)

Die를 Lead Frame에 접착시키는 공정.

DAC(Digital to Analog Converter)

Digital 신호를 Analog  신호로 변환하는 변환기.

D. C Characteristic

Device의 Status에 따라 흐르는 Current 특성을 말하며,  Device 동작 Status별로 구분되어 있음.

DAD(Digital Audio Disk)

오디오 신호를 디지틀로 변화시켜  기록한 Disk를 말한다.

DAE(Dynamic Asian Economies)

한국, 대만, 홍콩, 싱가포르 등 아시아 신흥 공업 경제권이란 말 대신 경제협력개발기구가 새롭게 사용한 용어이다.

Daisy Chain

복수의 주변 LSI에 입력요구가 동시에 발생할  때 우선순위를 결정하는 회로.

Dambar

PKG Lead의 상단 부분을 연결하는 가로축 Bar.

Dark Current(암전류)

무신호시에 흐르는 전류로서 차단전류와 같은 것이다

D.A.T.A.

미국 Derivation And Tabulation Associates Inc.에서 발행하고 있는  규격 일람표.

Data

모든 정보 숫자, 문자 등으로 통신기기나 Computer에서 처리되는 자료.

Data Base

데이터를 저장하는 곳으로써 주로 disk storage가 사용되며 저장하는  방법과 저장된 데이터를 꺼내는 방법에 따라 여러가지 DB가 있으며  오늘날 많이  사용되는 DB는 relational  data base나  object

oriented data base다.

Data Base Management system

데이터 베이스를 관리해 주는 S/W 시스템을 말한다.

Data Compression

영상이나 음성 등의 실제 데이터는 그 모양이 매우 크므로 저장이나 통신하기에 어려움이 있다. 그런 데이터의 양을 줄이는 기법을 일컬으며  그 방법에는 원래 데이터에 전혀 손실을 주지 않는 data lossless  compression과 사람의 시각이나 청각의 한계를 최대한 이용하여  눈과 귀가 인식 못하는 범위내의 데이터를 없애서 압축효과를 나타내는 data losssy compression이 있다.

Data Line

매트리스 배열에  입력되는 신호가 들어가는 라인으로  어드레스선과 함께 화소의 on-off 구동한다.

Data-Log

검사 진행중에 항목별 내용을 나타내는 것을 말함.

Data Retention Mode

휘발성 메모리(DRAM/SRAM)에 데이터를  저장하는 형태로, 일반적으로 시스템  power-off 직후  battery  back-up circuit에 의해 데이터가 메모리 제품이 기억될 수 있도록 하는 최소한의 입력 조건의 상황.

DAT Recorder(Digital Audio Tape Recorder)

Compact Disk에 못지 않게 완벽한 원음을 Digital로 Tape에 기록, 재생해  듣는 기기. CDP와는 달리  녹음이 가능하다.

DBF 파일

애쉬톤 테이트의 DBASE 프로그램들에 의해 사용되는 파일상태.

DBP(Deutsche Bundespost).

DC(Document Control)  표준 사무국.

DC(Direct Current)

반도체 소자의 직류 전압특성.

DC Characteristic

Device의 Status에  따라 흐르는 current 특성을  말하며, Device 동작 Status별로 구분되어 있음.

DC Parametric Testing

Steady state test로서 OHM의 법칙을 기본으로 하여 전기적 특성이  결정되는 것을 의미한다. 보통 주어진 전압/전류를 인가하고 전류/전압을  측정한다. DC test에는 소모전류(ICC),  누설전류(leakage test), 입력전압(VIL, VIH), 출력전압(VOL, VOH) 등이 있다.

DC PDP(Direct Current Plasma Display Panel)

음극과 양극 사이에 프라즈마 가스(Ionized Neon-Argon Gas)를 봉합하고, 양 전극 사이에 직류를  가하여 프라즈마를 발광시켜 신호를 표시하는 소자.

DCW(Dry Cooling Water)

FAB에서 순환되는 공기의 온도를 미세하게 조절하기 위하여  Cooling Coil내로 흐르는 물.

DD(Double Die)

이중 Die.

Debug

불량품, 불합격품을 제거하는 작업 일반.  Debugging, Screening, BURN-IN 이라고도 한다.

Debugging

Test Plan에 의해 제시된 내용과 실제 소자에서 나타나는 차이점을  줄여 나가기 위한 일련의 작업이다.

Decay Time

네가티브 표시의 경우 최대  콘트라스트비가 100%에서 10%까지  변화하는데 걸리는 시간.

Decel Mode

가속에너지를 가하지  않고 추출전압만으로 Ion을 주입하는  형태(에너지 범위0-33kev).

Decoder

2진법의 수를 해독(Decode)하여 특정의 출력(10진법의 수)을  선택해내는 회로를 2진-10진 Decoder이라 한다 ↔ Encoder.

DECT(Digital European Cordless Telephone).

Defect(결함)

product나 service에 목적한 사용기능을 만족시키지 못하는 심각한 원인이  발생하여 제품의  특성이 목적한 수준이나 상태에서  벗어남. defect는 심각한 정도에 따라 다음과 같이 분류한다.

     Class 1 매우심각 : 매우 심한 손상이나 대단히 큰 경제적 손실을 직접 초래

     Class 2 심    각 : 중대한 손실이나 경제적 손해를  직접 초래

     Class 3 중요결함 : 사용목적을 고려할 때 주요 문제점들과 관련된 결함

     Class 4 미세결함 : 사용목적을 고려할 때 하찮은 결함

Deflash  Compound 찌꺼기 제거.

Defocus(촛점불량)

사진 공정에서  사용되는 용어로써  감광 원판과 감광물질 (P/R)과의 형상이 불일치되는 촛점의 부정확도.

Delamination(층간들뜸)

다층기관의 층간의 들뜸이나 표면동박과 내부기초재간의 들뜸.

Deming Prize

미국의 품질고문인  W. EDWARDS DEMING의 이름을  따서 창설된 일본에 있어서의 품질관리상. 이 상의  선정기준은 품질통제방법에 대하여  구체적으로 정해져 있으며 그 기준은 '일본 학자  및 기술자 연합' (JUWSE)에 의해 정해진다.

Delay Time

TR의 Switching특성을 스위칭 시간으로 나타낼  때 베이스에 입력 펄스가  가해진후 콜렉터에  흐르는 전류의  출력 펄스가  최대진폭(최종값)의 10%에 도달하기까지의 시간.

Demo

미보유  장비에 대한  공정특성을 분석하기  위해  장비가 있는  곳으로  wafer를 반송하여 공정을 진행한 후, 반입하여 공정특성을 분석하는 행위.

Demultiplexer

멀티플렉서와 반대로 직렬로 입력된 Data를 제어입력(선택입력)에 의해  Control하여 병렬로 변환해서 출력으로 꺼내는 회로이다.

Dent

동박두께를 크게 손상시키지 않으면서 약간 짓눌려진 상태.

Depletion Device

MOS FET의  일종으로  Gate 전압을   가하지 않아도 Channel이 형성되어 있는 반도체 장치.

Depletion Layer(공핍층)

PN 접합에 역방향 전압을 걸면 P측에 있는  Hole과 N측에 있는 전자는  접합부분에서 멀어진다. 그리고 접합부근에는 캐리어가 매우 적은 부분이 생기는데 이것을 공핍층이라고 한다.

Depletion Mode

전계효과 TR의 사용법 중 채널을 약하게 하는 방향으로 게이트에 Bias를 가하는 방법.

Depletion Type

Channel을 Deplete하는  방향. 즉  약하게 하는  방향으로도 Channel 전류를  제어할 수 있는 형을 말한다.

Deposition

상압  또는 저압상태에서  주로 CVD  방법에 의해,  Si 기관위에  Film(막)(Oxide, Nitride 등)을 성장시키는 것.

Deprocess

공정을 끝마친 소자를 공정 순서와 반대로 한 층씩  strip back해가며 defect site를 분석하는 과정.

Descum

현상 작업후 제거되지 않고  남아있는 미량의 감광액 찌꺼기(Scum)를  추가로 건식 제거하는 작업.

Design of Experiments

실험계획법. 진행할 실험순서를 배열하고, 실험에 포 함될 하나 혹은  다수의 인자들의 수준을 선택한다.

Design Kit

Electrical/Physical로  구별되며 ASIC  제품 설계시  전기적으로  Modelling과 Layout 정보를 포함한  Database를 이용하여 설계하는  Electrical Design Kit를 말한다.       (예 : Mentor Design Kit, Verilog Design Kit 등)

Design Rule

반도체의 설계과정에서 공정능력과  설정된 제조방법의 한계성을 고려하여  반드시 지켜져야만 하는 설계규칙으로서 각 기능 부위 및 기능부위 간의 물리적 거리가 그 내용으로 포함된다.

Develop

Mask를 Align한 후 자외선에 expose  했을 때 Pattern 모양에 따라  노광된 부분과 노광되지 않은 부분으로 화학반응이 일어난 것을  이용해 화공약품으로 현상하는 것.

Development

현상, 사진 공정에서 감광액 도포 및 노광후 필요한 Pattern만을 남기고  불필요한 부분의 감광액을 제거하는 작업.

Device  품명(품종) (제품).

Dextrotatory(石示性)

빛의 진행방향에 대해 관측자 쪽에서 본 경우 매질을 통과하는  빛의 편광면이 시계 회정방향으로 회전하고 있는 것.

Dewetting

용해된 솔더가 표면에 도포되어 움푹들어가거나 들떠서 불쑥튀어  나온 상태이나 원래의 금속표면은 노출되지 않음.

DF(Die Fabrication)

Wafer mount 공정부터 dicing saw 공정을 말함.

DGP(Data Gathering Panel)

정보를 이송하는 단말이송장치.

Dichromated  Gelatin

빛의  편광  상태에  따라  통과하는  파장이  다른  Dichromated  Gelatin 층을 통과할 때 채색이 되도록 하여 광을 착색하는 방법.

Dicing

편도 절단이라고도 하며 Wafer 절단 방식의 하나로 단일 방향으로 절단하는 방식(왼쪽에서 오른쪽으로만 절단)

Dicing Saw

Wafer를 절단하여 Die(Chip)를 분리하는 Diamond Wheel.

Die Attach

각 Die를 Lead Frame에 붙이는 작업.

Die Business

Probe Test 완료후  package를 하지 않고 Good  Die를 wafer 형태나  wafer를 자른후 Good Die만을 판매하는 것을 말함.

Die Bonder(다이본더)

다이는 칩(Chip)을 말하며,  트랜지스터나 IC를 제조할 때 칩을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을 다이본드  또는 본딩이라하며 이에 쓰이는 기계를 다이본더라고 한다.

Die Bonding

IC를 제조할 때 Chip을 스템 또는 리이드 프레임에 붙이는 것을  다이본딩이라고 한다. 펠렛마운트, 마운트라고도 한다.

Die Coating

Die위에 보호막을 씌우는 작업.

Die Collet

Die 접착을 하기 위한 도구로서 진공으로 Die를 흡착 운반하여 접착하며 재질은 텅스턴 카바이드로 내마모 및 내열성이 요구됨. 모양은 피마밋 형.

Die Pocket

이송 콜렛에 부착된 Die를 예방정열시키는  장소. 재질은 스텐레스스틸.

Die Sawing

Wafer의 각 Chip을 조립하기 위하여 톱으로 자르는 작업.

Dielectric Constant(유전 상수)

유전 분극의 강한 정도를 나타내는  계수로서 유전율이 이방성을 표시하면  전기장에 평행하려고 하는 유전율이 수직하려고 하는 유전율보다 클수록 액정입자가 일어서는 속도가 빠르다.

Dielectric Isolation

반도체 IC의 분리방법의 하나로서 소자간의  저항이 높은 절연물로  Electrical하게 분리하는 것을  말한다. 절연재료로는 이산화규소(SiO2), Poly-Si, Ceramic 등이 있다.

Diffused Resistor

불순물의 Diffusion에 의한 영역이 저항으로 사용되는 것.

Diffusion

농도차에 따라 액체나 기체가 고농도에서 저농도쪽으로 이동함을  말하는  것으로 확산로 속에서 반도체  소자(Wafer)에 높은 온도를 가해 불순물  B(붕소)나 P(인) 등을 확산시키는 것을 말하며 반도체 특성을 결정하기 위한 것임.

Diffusion Capacitance

Diffusion에 의해 형성된 Junction에서 생겨난 기생 Capacitor의 용량.

Diffusion Current

외부 E-field의  영향없이  순수 농도차에  의해 흐르는 Current 농도가  높은 영역에서 낮은 영역으로 Carrier가 확산되면서 발생됨.

Diffusion Furnace

확산 또는 산화에 필요한 고온의 확산로.

Diffusion Length

Carrier가 주입되면 확산해 가는  도중에 상대의 Carrier와  재결합하여  차례로 소멸되어 가기 때문에 시간이 지나면 Carrier의 농도는 감소하게 된다. Life Time 동안 Carrier가 이동해간 확산거리를 Diffusion Length라고 한다.

Diffusion Pump

기름을 가열하여 증발된 기름의 냉각시 진공내 gas를 흡수하는 방식의 고진공 펌프.

Diffusivity

불순물의 확산도를 나타내는 단위.

Digital(DIC)

Analog에  대응되는 말로  "1"과 "0"으로  표시될 수  있는 것(Digital IC).

Digitizing

Mask를 만들기 위해 설계된 도형의 좌표를 결정해 주는 것.

Digital Memory

디지탈량을 기억하는 메모리·보통 메모리라고 하는 경우는 이 Digital  Memory을 가리킨다.

Dimenrization(이량체화)

두 개의 분자가 중합 또는 분자간의 힘에 의해  일체가 되어진 것.

Dimension  칫수.

DIMM(Dual In-Line Memory Module)

PC에 사용되는 Memory module의 종류로 PCB 前面과 後面의 pin수는  같으나 pin들이  기능을 달리하는 제품을 말함.

Dimple

Wafer표면 불량으로 오목하게 패인 결함.

Dimensional Stability(칫수안정성)

온도, 습도, 화학적  처리, 외부의 압력에 의해 변화된 크기.

Dimensioned Hole(칫수홀)

인쇄기판에 있어서 홀의 위치가 반드시 그리드 상에 위치하지 않고 좌표값에 의해 위치가 결정되는 홀.

DIN

Deionized water로서 초순수를 말한다.

Diode

di-electrode를 따서 만든 단어로 2극 소자를  말함. 진공관에서도 2극관을 다이오드라 하며 검파, 정류작용은 가지나, 증폭 작용은 없으며,  따라서 수동소자로 분류함.

Diode Array

여러개의 다이오드를 하나의 펠렛에 조합하여 복합시키는 것.

Diode Ring Structure

다이오드를 링 구조로  연결 순방향 특성을 이용한 구조.

DIP(Dual Inline Package)

가장 보편적인 IC 포장의 한 형태로  직사각형 모형이며, 내부 회로(Chip)와의 연결도선이 옆면에 수직으로 붙어 있는 포장 형태.

Discolor Wafer

육안 검사시 불량 항목의 하나로 FAB  공정중 또는 절단할 때 발생하는  Pad 변색.

Discrete

집적회로(IC)에   반대되는 말로서  개별전자부품을  가리킨다. TR, Diode, 저항, 콘덴서 등의  부품은 각각 개별부품으로서의 기능밖에  가지고 있지 않으므로 이들은 모두 Discrete 부품이 된다.

Discretional Array Method

LSI를 만드는 방법의 하나로서 웨이퍼속에 포함되는 수 10에서 수 100의  단위회로(Cell 또는 Unit Cell이라 부른다)의 모두를 검사하고 양호한  Cell만을 골라내어 그것을 상호배선하는 방법을 말한다.

Discrete Device

단순한 개별소자로서 저항, Transistor 또는 Diode 같은 것.

Discrete Product

개별소자는 diode, Transistor,  정류기(Rectifier), 트라이스터(Thyristor)등을 일컬으며, 이러한 소자들의 결합으로 구성된 집적회로에 대응하는 말.

Discretionary Wiring-Approach

Wafer 내의 모든 기능 단위의 양·부를 미리 판정 기억하고 양품을  선택적으로 결선한 다음 그 Wafer를 이용하여  최종 상호배선 Pattern을 설계함으로써 LSI 등을 제작하는 방식을 말함.

Display Device

숫자, 문자 등을 표시하기 위한 숫자.

DIW(Deionized Water)

초순수로서 설비에서 복잡한 공정을  거쳐 수중의 이온 및 오염물질을 전부 제거한 순수. 생산라인의  Wet공정을 비롯하여 반도체 제조공정에서 광범위하게 사용됨.

D-I Water(De Ionized Water  또는 Semiconductor grade Water)

이온이 함유되지 않은 물이란 뜻으로, 불순물을 제거시킨 순수(純水),  Wafer 세정 및 절단시 용수로 사용됨.

DLM

2층 구조의 Metal  Layer를 갖도록 공정을 진행시켜  집적도를 향상시킬 수 있음. 1층 금속은 Power 및 Routing Line으로 사용하고 2층 금속은 Routing Line으로 사용하는 소자간의 배선기술.

D-MOS(Double Diffusion-Metal Oxide Semicondcutor)

연속적으로 확산공정을 두 번 진행함으로써 channel length를 짧게 하고 이에 의해 고전압, 고전류를 인가하는데 장점을 갖는 MOS를 일컬음.

DMA(Direct Memory Access)

주변장치와 주기억장치에서 CPU를  거치지 않고 직접 기억장치로 Data를  입출력할  수 있게 하는 것으로  DMAC(8237A)에 의하여 DMA 기능에 제어되며 고속으로 Data를 전송을 할 수 있다.

Domain

동일 액정 cell내에 있어서, 기본이 되는 액정 분자의 배향 벡터가 하나의 모양으로 이어져 있는 액정의 영역이 복수로 존재하고 있는 상태.

Donor

반도체 소자의 특성을 N-type으로 만들기  위하여 전도대에 자유전자를 주입하는 불순물 원소로 P, As, Sb 등이 있다.

Donor Level

반도체 속에 불순물로서 혼입한  원자에 의해서 자유전자가 생겨 반도체가  N형으로 되는 불순물 원자를 Donor라고 한다. 이 상태를 에너지대의 그림으로 나타낼 때 도우너에 의해서 금지대(Forebidden band) 속에 생긴 에너지 level을 Donor Level이라고 한다.

DP(Dew Point)

노점온도를 나타내며 공기중의 수증기가 응결되는 온도를 말한다.

Dopant

Dope시 주입되는 불순물을 Dopant라 한다.

Dope

반도체속에 불순물을 주입(확산, ION IMPLANTATION 등에 의해서)하는 것을  Dope라고 한다.

Doping

반도체 재료(Wafer)에 불순물을 주입하여 P-type 또는 N-type의 반도체 특성을 만드는 것으로 박막이나 실리콘 기판에 불순물을 주입시켜 전도특성을 향상시킬 때 사용함.

Dope Oxide

Doping된 layer위에서 성장된 Oxide.

DOS(Disk Operating System)

컴퓨터를  제어하는 모니터나 프로그램 루틴 또는 라이브러리 등의  운영체제가 모두 자기 디스크에 의해 이루어지는 System.

Dosage

불순물의 양을 말하는 것으로서  단위 면적당 투입되는 불순물  갯수를  나타냄.

Dose

Ion Implantation  등 충격에 의해서  반도체에 불순물을 주입하는  것을  Dose라고 하며, ㎠당 불순물 갯수로 표현.

DP(Dew Point)

이슬점을 말함.

DPM(Defect Per Milion)  Percent(%)×106

Dot-Clock Signal

디스플레이 시스템에서 화소 비를 조절하는 신호.

DPLL(Dull Phase Locked Loop)

PLL은 입력신호에  대해 주파수와 위상이 같은 신호를 발생시키는  폐회로로서, 무선통신에서  수신과 송신을 동시에 수행하기 위해  2개의 PLL을 사용하는데 이러한 두 개의 PLL  구조를 DPLL이라 하며,

이는 Digital PLL과는 구별된다.

DRAM(Dynamic Random Access Memory)

Capacitor의 정전용량을  이용한 Cell 모양의 Device로써 읽기와 쓰기가  자유로우며 CAP.에 Charge를 시켜주기 위해 Refresh Cycle이 필요함.

Drain

전계효과 TR(FET)의 전극의하나, 드레인은 주회로  전류가 흘러들어 가는 전극이며 통상의 사용법인 소오스  접지 방식에서는 출력을 꺼내는 전극이  된다. 따라서 드레인은 보통의 TR, 즉 접합형 TR의 콜렉터에 상당하는 전극이라고 할 수 있다.

DRC/ERC/LVS

DVP-Circuit과  Layout의 내용의  일치성 및  Design Rule, 전기적 특성의 이상유무를 검사하는 작업.

     가. DRC(Design Rule Check) - Layout Data의 규칙(Metal의 선폭, 등등)을  Check

     나. ERC(Electrical Rule Check) - 전기적인 특성을 Check

     다. LVS(Layout vs Schematic) - Layout Data와 Circuit의 차이점을  비교 출력.

Dressing  Wafer

절단용 톱날(Blade)을 다듬어 주는 행위를 Dressing이라 함.

Drift

주로 직류 증폭기에서 문제가 되며 입력 신호가 "0"인데도 출력전압이 변동하는 것을 말한다.

Drift Current

균일하게 분포한 Extrinsic Semiconductor에서 외부 E-Field가 가해졌을 때 흐르는 Current Carrier의 Drift Velocity는 v=μE(μ:Moblity, E: Electric Filed)로 정의된다.

Drive-In

Deposition된 B(붕소)나 P(인)을 Wafer 내부로 더 깊이 침투시키는  것을 말하며 확산로(Furnace)를 이용함.

Driver

Device에 전압, 파형 등을 인가하는 전자 장치.

Driving Frequency

액정 소자를 구동시키기 위해 인가하는 교류 전압의 프레임 주파수.

Driving Voltage

액정 소자를 구동시키기 위해 인가하는 교류 전입의 피크 값.

DRO(Destructive Read-Out)

파괴판독. 메모리 소자에서 기억내용을 판독할 때 이 판독 조작에 의해서  기록된 기억내용이 소멸되는 것을 말한다.

Dross(찌거기)

용해된 솔더의 표면에 떠있는 오염물질.

DRT(Device Reliability Test)

"신제품 신뢰성 시험"으로서 신제품에 대한 품질 인정검사(Quality Approval Test)를 말함.

Dry Etch

건식 식각. 용액성 화학물질을 사용치 않고  활성화 된 Gas(Plasma)를 이용하는 식각 방법.

Dry Process

플레이너 TR, IC 등의 사진식각기술에 있어서 가스플라즈마나  이온 beam을 에칭에 이용하는 방법.

DST(Die Share Test)

Die 접착력 시험으로서 Die Attach 공정을 거친 중간  제품에 대해 Die와 Frame pad 접착 정도를 판정하기 위한 시험.

DT(Down Time)

작업이 중단되는 시간.

DTAD

Magnetic Tape을 이용하고 있는 Analog 음성 저장방법 대신에  Memory  chip과 Codec 등을 이용하여 Tape를 없앤 Digital Tapeless  Answering Device.

DTP(Desk Top Publishing)

책상 위에서 책이 만들어진다는 뜻으로 PC를 이용해 원고의 작성에서부터  편집, 인쇄까지 일괄적으로 처리하는 형태.

Dual Gate MOS FET

고주파용 MOS FET로서 2개의 Gate를 가진 것이다.

Duct

공기(가스)의 이송시 사용하는 장비로서 직사각형 및 원통형으로 제작되고 이송하는 공기의 종류에 따라 아연도금철판, 스테인레스 및  PVC 등을 사용한다.

Dummy Frame

금형을 세정하기 위해 사용되는 Chip이 붙어 있지 않는 상태의 Lead Frame.

Dummy Wafer

Tube내에  공정의 Uniformity를  좋게 하기  위해 사용하는 Wafer 또는  생산 Wafer와 함께 투입되어 생산 Wafer의 제품특성의 균일성을 도모하기  위해 쓰이는 Wafer.

Dumping

시장에서의 점유율을 높이기 위하여 정상이하의  염가로 상품을 판매하는 행위. 해외시장에서의 염가판매로 인한 손실을 국내시장에서의  초과이윤으로  메꾸어야하므로 수입품으로 부터의 국내 시장보호 필요에 따라서 덤핑은 수입제한 조치를 전제로 한 수출확대 정책.

Dumping-ZIG

한쪽 Carrier에 담긴 wafer를 다른 carrier에 한꺼번에 옮겨 담을 수 있도록 하는 치공구.

Duplication

유사한 조건하에서 1회 이상의 Treatment를 실행하는 것을 말한다.                                                  Note) 반복과 비교했을 때, Duplication은 실험의 단일요소로 언급된다.

DUT(Device Under Test)

검사되고 있는 제품.  Test를 하기 위해 장착한 소자를 말하고, 이를 위해서는 DUT Board가 필요함.

Duty Cycle

스크린상에서 각 화소를  재표시하는데 걸리는 시간으로 refrersh  rate가 60Hz 미만이 되면 인간이 깜박임을 인지할 수 있다.

Duty Ratio

주기신호 체계에서 일정  주기에 대한 선택 신호가 발생하고  있는 기간의 비.

Dyed Poryides

폴리이미드(polyimide) 기판에 색소를 녹여서 착색된 층에 빛을 통과시킴으로 착색하는 방법.

Dynamic Shift Register

MOS 특유의 회로로서  동적으로 항상 동작하고 있는 Shif Register를 말한다.

Dynamic RAM(DRAM) (Dynamic Random Acccess Memory)

용량성 충전(Capapcitance  Charge) 여부에 의하여 "1"  또는  "0"의 정보를 저장할 수 있는기억장치으로 재충천시켜야 기능을 유지함.

Dynamic Scattering Mode(동적 산란 모드)

전기유체 역학적 불안정상태로서 네마틱상에 전계를 인가하면 전기유체 역학적 불안정성에 의해서  대류가 발생한다. 전계가 증가하면 잇달아  새로운 대류구조가 생겨 최종적인 난류로 변화한다. 난류상태가 되면 액정은 그 광학적 이방성과 유체운동에 의해 강하게 빛을 산란시킨다.

Dynascope  Wafer

육안검사용 현미경의 하나로, 보통의 현미경과 다른 점은 투영기가 평면 유리로 되지 않고 디스크라고 하는 직경  0.1㎜의 미소렌즈가 무수하게  배열된 것을 사용하므로서, 선명하고  보기 쉬운 특징이 있다.

(육안의  피로가 적음) 절단 높이, 깊이, 전단 웨이퍼 두께 및 웨이퍼 외간 측정 등에 사용됨.

DW(Diffused Wafer)  확산 웨이퍼.

 

 

 

 

 

E

 E/Post Simulation

Simulation의 시행절차상에서 layout전에 estimated wire capacitance를 사용해서 실시하는  것을 Pre  Simulation이라 하고,  layout후에 actual wire capacitance를 사용해서 실시하는 것을 Post Simulation

이라 한다.

EA(Exhaust Air)

공정중 장비에서  발생하는 GAS를 배출시키는 배기가스로 그 종류는 산, 일반, 유기, 비소, 가열, 열 및 긴급배기 등이 있다.

EAROM(Electrically Alterable ROM)

EPROM의 일종으로 전기적인 자극으로 정보의 내용을 바꿀 수 있는 장치.

EBE(Electron-Beam Evaporation)

전자 Beam으로 증착시키고자 하는 금속 덩어리를 녹여 금속입자를 Wafer(기판)상에 입히는 방법.

EBR(Edge Bead Removal)

wafer 가장자리의 감광막을 제거시켜 particle 발생현상을 제거시켜주는 공정.

ECC(Error Check & Correction)

ROM device의 repair에서 모든 column과 row는 각각 다르게 program되어  있어, RAM에서와 같은 Redency를  사용할 수 없다. 따라서  logic을  사용하여  프로그램된  column이나 row를  제작하여 fail된  column이나  row를 대체하는 기술이다. 시스템 동작시 발생되는 오류를 자동으로 체크 및 수정할 수 있는 기능을 말하며, MASK ROM 및 DRAM Module 제작시 사용됨.

ECC(Error Correction Code) (Error Checking Code)

전송로,  기타 외부로부터의 간섭에 의해 부호구성이 어렵거나 부호 잘못이  생길 때  그 부호가 원부호와는 다른 잘못된 부호인 것을 판별 혹은 정정할  수 있도록 구성된 부호.

ECC Mode(Error Catch & Correction Mode)

Memory  Module의 Parity Bit를 2 Bit로  구성하여 전송중 발생되는  Error를 찾아 수정  가능하도록 한 Memory Module 구성의 한 방식.

ECL(Emitter Coupled Logic)

CML(Current Moded Logic)이라고도 불리어진다.  Bipolar 구조의 Transistor를 이용하는 논리소자(論理素子)의  일종.  Transistor의 구성원리인 Emitter가 복수연결되는 구조로 되어  있기 때문에 Emitter Coupled Logic이라고도 한다.

ECMA(European Computer Manufactures Association)

유럽 컴퓨터 제조업자협회.

Edge Board Connector

연쇄회로기판의 가장자리의  접점과 외부전선과의 사이에서 필요시  분리 가능토록 고안된 단자.

Edge Definition(회로요철도)

작업용 film과 얼마나 유사하게 회로의 가장자리가 일직선으로  재생되었는가의 정도.

E/D MOS(Enhancement-Depletion MOS)

Enhancement형 MOS에 Depletion형 MOS를 부하로한 기본 셀을 갖는 회로.

ED(Electronic Data Interchange)

Editing

CAD System을 이용하여 CRT상으로  확인을 하면서 Layout 작업을 하거나 잘못된 부분을 수정하는 일련의 작업.

EDO(Extened Data Output)

DRAM의 data access 방법중 fast page mode의 개선을 위하여 나타난 것으로  일반적인 동작방법은 /CAS signal이  inactive high로 전환시 valid data가  다음 /CAS signal의 low  active 전까지 data가 출력되도록 설계되었음.  이러한 동작특성은 fast page  mode의 전체적인 tPC(fast page mode cycle)를 줄일 수 있으므로 speed 개선효과를 얻을 수 있음. 일반적으로 비디오  카드 성능개선에 적용되고 있음.

EDPS(전자자료 처리조직)(Electronic Data Processing System)

컴퓨터에 의하여 사무, 관리, 경영, 과학, 기술 등에  관한 자료를 처리하는 시스템체계.

EDS

완성된 Wafer내의 소자의 전기적인 동작상태를 가려내는 작업.

EDS Test

Wafer상에 있는 칩(Chip)의 전기적 특성을 검사하는 것.

EDS Yield

EDS Test시 양품의 수율 : (Good Die/ Net Die)×100.

EECA(European Electronic Component Manufacturers Association)

유럽 전자부품업자 협회.

E-E PROM(Electrically-Erasable PROM)

전기적으로 소거와 쓰기가 가능하며 전원 전압이  OFF되어도 Data가 보존된다.   Parallel로 Data를  주고 받는 Intel Type과 Serial로 Data를 주고 받는  NEC Type으로 나뉜다. Tunneling을 이용하여 전기적으로 Erase와 Programming이  가능하기 때문에 사용자가 In-System 에서 정보 변경이 가능하다. 그러나 2개의  Transistor로서 1 cell을 구성해야 하기 때문에 EPROM에 비하여 면적이 크고 고가이다.

EIA(Electronic Industries Association)

미국내 전자기기 메이커들로  구성된 단체로서 전자부품으로부터 항공,  우주, 군수용 전자에 이르기까지 폭 넓은  분야를 다루고 있다.

EIAJ(Electronic Industries Association of Japan)

일본 전자 기계 공업 협회의 약칭.

Eight Nines

9가 8개 있다는 뜻으로 반도체 결정순도를 나타낼 때 사용되는 용어이다. 즉 99.999999%를 뜻한다.

Effective Channel Length

MOS의 Source와 Drain간의 실제 유효 channel 거리를 말하며 일반적으로 Gate length보다 적음.

EL(전계발광)  (ELECTRO-LUMINECENCE)

물질에 전계를  가하여 빛을 내게하는 것으로 루미네센스의 일종. 1936년에 DESTRIAU가 형광층을 2장의 전극 사이에 끼워서 교류전압을  가하여 발광하는 것을 발견하고 이 현상을 엘렉트로 루미네센스라고 부름.

ELD(Electro Luminescent Display)

PDP와 마찬가지로 자발광 소자인데, COLOR 및 동작전압 개선중인 소자임.

ELD

형광체가 전기장에 의해서 일어나는 직접 여기에 의한 발광 현상을 이용하는 표시원리.

Electroless Deposition(무전해 부착)

전류에 의하지 않고 자동촉매 도금용액에 의해 회로가 형성됨.

Electric Field

전압이나 전류의 인가에 의하여 영향을 받고 있는 영역.

Electrical Test

Process된 Wafer를 Passivation전 Test Pattern을 사용하여  Test하는 맨 첫 번째의 전기적 Test (즉 Wafer Mapping)

Electron Beam  Exposure System

전자  Beam을 사용하여  mask 등에 pattern을 그리는 system·종래, mask의 제작에는 광학적으로 pattern을 발생하는 pattern generator가 사용되었으나, 미세화가 진전된 현재, 모든 묘화기에서 실행할 수 있다.  LSI의 pattern  data는 묘화기의 algorithm에  의해 변환되며, EBMT (묘화기용 자기 tape)가 되어  주사하는 전자  Beam을  on/off하거나,   aperture를 변화시켜   pattern을 그린다.  최근에는 ASIC의   보급으로,  소량의 sample을 단기간에 만드는 needs가 높아지고 있다. 따라서, 일일이  mask를 만들지 않고 직접 wafer상에 Beam으로 그리는 방식이 실용화되고 있다.

Element(소자)

품 또는 장치를 하나의 기능체로서 본 경우 그 기능체를 구성하는 단위를  말한다.

Ellipsometer

Thin Film 두께 측정장비로 박막표면에서 입사광과 반사광의 편광 (Polarization) 상태차이를 측정해 두께나 굴절율을 구하는 방식.

Electron Beam Exposure(전자비임 노광)

현미경과 같은 원리로서 빛(자외선)을 이용한 Photolithography 기술이 한계점에 도달했기 때문에 파장이  짧은 전자비임을 사용하려는 것이다.

EM(Electromigration)

높은 전류 및  온도로 Metal의 Quality를 특성화하기 위하여 사용되는 시험.

Emitter

NPN, PNP 등 접합형 Transistor에서 최초로 신호가 입력되는 반도체 부분.

Embedded Controller

시스템 제어를 위한 내장형 controller.

EMMI(Emission Microscope  Multilayer  Inspection)

Electron과   Hole의 recombination에 의해 발생한 photon을 인식하여  leakage current의 경로를 점검하는 FA 장비의 한 종류.

Emulsion Mask

Mask의 한 종류로, 유리원판 위에 Emulsion(유제)  박막으로  회로가 인쇄된 Mask.

EMS(Expanded Memory Specification)

EMS에서는 MS-DOS의 기본 메모리 640KB의 한계성을 넘어 Expanded Memory와   Extended Memory에 대한 서비스를 해줄 수 있으며, DOS 응용프로그램에  Data처리 공간을 확장시켜주는 장점이 있다.

Emulator

어떤 컴퓨터를 마치 다른 컴퓨터처럼 사용할 수 있게 하는 Software.

Encoder

Decoder에 반대되는 말로서 특정의 코우드를 다른 코우드로 변환하는 회로이다(10진수→2진수로 변환하는 회로따위).

End Point Detection

Etch공정이 진행되고 있는 동안에도 wafer의 상태  또는 plasma 상태를   maintain하여 변화가 감지되는  시점에서 Etch 공정의  stop reference로 활용하는 방법.

End Seal

LCD에서 유리 기판사이에 액정을 채워 넣은후 액정 주입구를 봉하는 공정.

End Station

Ion 주입을 위해서 Wafer를 담아서 대기하는 곳.

Endurance

Data를 Program 및 Erase할 수 있는 횟수.

Energy Band

반도체 제조의 기본 이론으로서 불순물들의 Energy 상태와 전도 이론을 설명하기 위한 개념적 이론설명 띠.

Energy Gap

전도대와 충만대 사이에 전자를  취할 수 없는 금지대를 Energy  Gap이라고 한다.

Energy Level

물질을 형성하고 있는 것은 원자와 이 원자핵 주위를 그 원자에 특유한 개수의 전자가 돌고 있다고 생각된다. 각 전자는 몇 개의 궤도로 나뉘어서  돌고 있으며 그 궤도의 크기에 대응하는 에너지 상태에 있다. 그래서  세로축에 에너지의 크기를 잡고 그 전자의  에너지에 상당하는 곳에  가로줄을 그어서  이것을 에너지 레벨 또는 에너지 준위라 부르고 있다.

Enhancement Device

Gate에 전압이 인가되어야 Channel이 형성되는 MOSFET.

Enhancement Mode

전계효과 TR(FET)의 사용법중 채널을 증대하는  방향으로 Gate에 Bias를 거는 방법을 말한다.

Entity(엔티티)

공정을 진행하기 위한 장치 또는 장비를 총칭한다.

EOH(Ending on Hand)

계산상에 있어야 할 실재고(이월될 계산상 재고).

EOTC(European Organization on Testing and Certification)

EOP(End Of Point)

식각 공정진행時 원하는 박막만을 식각시키기  위해 다른 박막이 드러날 때 plasma 분위기가 변하는 점.

EPD(Etch Pit Density)

     1) 결정결함의 일종인 Etch Pit의 밀도.

     2) End Point Detect의 약자로 막질의 Etch시 Etch 상태를 파악하기 위해   Etch 되는 막질과 다른          막질이 드러나는 시점을 찾아내는 것.

Epi(Epitaxial Layer)

반도체 소자 제조시 기판위에 단일결정의 반도체 박막을 형성한 것.

Bipolar Transistor는 보통 Epitaxial Layer내에 형성됨.

Epitaxial

EPI-TAXIAL을 연결해서 만든말로써  "결정축을 따라서"라는 뜻이다.  Substrate위에 가스상태로부터 반도체 결정을 석출시키면 Substrate의  결정축을 따라서 결정이 성장 석출되는 현상을 말한다.

Epitaxial-Growth(에피성장)

적절한 결정구조를 가진 동형의 혹은 다른  유형의 Substrate위에 단결정층을 성장시키는 방법.

EOS(European Quality System)

유럽 품질시스템 평가인정위원회.

EPM(Electric Parameter Monitor)

반도체 공정 진행후 소자의 전기적 특성 및 공정 진행 상태를  파악하기 위해 test pattern에 삽입된 단위 능동, 수동  소자의 특성을 측정하는 공정.

EPM Key Parameters

각 생산  제품별 공정  및 특성에  따라 EPM  담당 Engineer가 선정한  중요 Parameter로써 통상 Tr 관련해서 VTN(P), ISATN(P),  DL2N(P)와  저항관련해서는 P1∼P4, N+(P+) Rs 및 CHN 저항 등을 말함.

EPM Standard Sub Program

제조기술 담당  부서에서 EPM 업무와 관련하여 규격화시킨 측정 이론 및 측정기술 표준.

Epoxy

Chip을 Lead Frame에 접착시키기 위한 전도성 수지.

Epoxy Dispenser

일정한 공기압력으로 Epoxy를 내보내는 장치.

EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)

ROM의 일종으로서 사용자가 기억장치속에 저장된 정보의  내용을 지우거나 다시 넣을 수  있는 기억장치.

EPS(Experimental Plan Sheet)

S/N을 발행할 때 RUN SPLIT 실험의 내용과 목적이 상세히 기록되어  있는 양식.

EQS(Equipment Server)

Data 자동화와 관련된 사항으로  각 장비에서 발생한 Data를 자동적으로  Host에 올려보내주는 Program(오타의  위험제거 → Data 신뢰성 확보)

Equip(Equipment)  기계장비.

Erase

EPROM이나 EEPROM에서 Floating Gate에 Tunneling을 통하여 주입된 전자의 존재유무 상태에 따라 해당  Bit의 저장상태를 구분하는  상태이다.  EPROM에서는  Floating  Gate로부터 전자가 discharge된  상태를  말하며 EEPROM에서는 반대로 Floating Gate로 전자가 주입된  상태를 말한다.

Erase  Gate

3  Polysilicon  Split  Gate를  가진  Flash  E(E)PROM에서 Erase시  interpoly-oxide간의  F-N Tunneling을 이용하여  Erase를  시키는 데 사용되는 Gate  Electrode.

ERC(Electrical Rule Check)

전기적인 특성을 Check하는 것을 말함.

ERC(Electrical Rule Check)

Layout상에서 전원의 함선, 단락 및 개별소자와  전원과의 연결상태를  점검하는 것.

ES(Expert System)

전문가 시스템.

ESD(Electro Static Discharge)

정전기 수준을 나타내는 말로써 정전기에 대해 어느정도까지  견딜 수 있는지의 정도를 나타냄.

ET Part(Extended Temperature Part)

일반적인 Memroy Device의 사용온도 범위는 0℃∼70℃이나 산업용이나  실외에서 사용하는 Device -40℃∼85℃의 더 큰 온도 범위를 요구한다.

Etch Back

홀의 내벽으로부터 일정깊이의 비금속부분을 제거하는 공정이며, 이것은 레진의 스메어를 제거하고 적절한 정도로 내부회로를 노출시킨다.

Etch Bias

Photo 공정을 거친후 etch 공정을  행할 때 pattern 전사시의 손실 정도를 뜻함.

Etchant

에칭(Etch)하는 약품.

Etching

식각. Silicon  Wafer에 필요한 부분만을  남겨놓고 불필요한  부분을  chemical 또는 Gas로 녹여 내는 제작과정.

Etching Selectivity(식각 선택비) SX

서로 다른 종류의 박막을 동일한 프라즈마(Plasma) 조건하에서 식각을  해 나갈 때 각각의 박막에  대한 식각 속도의 상대적인 비를 말한다.

Etch Factor(에치팩터)

회로에 에칭된 측면의 크기에 대한 에칭깊이의 비율.

Etch Rate

식각률. 단위시간당 식각되는 양으로, 통상Å/min 단위를 사용.

ETSI(European Telecommunications Standards Institute)

E-Test(Electrical Test)

Process된 Wafer를 passivation전 Test pattern을  사용하여 Test하는  맨 첫번째의  전기적 Test(i.e. Wafer mapping).

EUCATEL

(European Conference of Associations of Telecommunications Industries).

EUREKA(European Research Coordination Agency)

유럽 첨단기술연구 공동체 기구.

EVA-Chip(Evaluation Chip)

실제 Main Chip의 검증용으로 Tool 및 Demo  Board 제작용으로 사용.

Evaporation

Wafer 표면에 Al, Au(금) 등을 진공을 이용하여 증착시키는 것.

Evaporator

전자 Beam이나 열저항 방식 등에 의해 금속박막을 Wafer상에 입히는 장치.

Event(이벤트)

Entity에서  발생가능한  사건을 일컫는  말로서  Start, End,  Maintenance 등을 의미한다.

Evolutionary Operation(EVOP)

진화적조업법. 정규 생산공정에서 생산을 진행시켜 최적의 공정조건을 찾기 위한 실험계획법을 말한다.

EWS(Engineering Work  Station)

제품의  설계를 위하여  제공되는 CAD Design Tool들을 하나의  system에서 작업을 할 수 있도록 준비된 System.

EWS TFT-LCD

엔지니어 워크 스테이션에 장착되는 디스플레이 패널로 12인치 이상의  판넬 크기에 화소수는 1024x768,  1024x1354, 1152x900, 1280x1024 등이 중심이고 피치 크기는 0. 21-0. 24mm, 20-60Hz의 표시 주파수를 갖는다.

Excess Electron(과잉전자)

열평형 상태의 분포로 정해지는 전도 전자이 수보다 여분으로 생긴 전도전자를 과잉전자라고 한다.

Excite(여기)

반도체 레이저에서는 레이저 발진을 일으키기 위해 캐리어의 방전 분포를  만들 필요가 있다. 이때 캐리어를 높은  에너지 준위로 천이시켜 방전분포를 만드는 것을 여기 또는 Pumping이라고 한다.

Exclusive Effect

유한한 크기의 2개의 물체는 동시에 같은 장소를 점유할 수 없음으로  어떤 물체는 그 주위에 다른 물체를 들어오지 못하게  하는 영역을 갖고  있다. 이 영역의 체적을 배제체적이라 한다. 물질의 구성요소인 원자 분자 등은 서로 배제 체적속에 들어가지 않도록 하는 집단 상태만을 형성하는  효과를 말한다.

Exclusive or Circuit

논리회로에 있어서 입력의 하나가 다른 "1", 다른하나가  "0"인 경우에 한해서 출력이 "1"이 되는 논리회로.

Expanded Memory

DOS응용 Program  등이 사용할 수 있는  640KB이상의 Memory 영역을  말한다. 예를  들면, LOTUS  1-2-3, SYMPHONY  등 응용 Program의  Data영역으로 사용할 수 있다.

Expending Tape

Wafer를 집착시킬 때 사용되는 테이프로 늘어남이  360°균일한 Tape임.

Expert System  Application Program using know-ledge base.

오늘날 전문가 시스템은 오랜 경험과 전문성이 요구되는 분석이나 진단을  하는 데 많이 응용되고 있으며 Manufacturing에서도 scheduling, planning,  quality control 분야에서 연구 및 응용되고 있다.

Expose(노광)

P/R이 도포된 wafer  위에 pattern을 형성하기 위해  aligner를 이용하여  빛을 노출하여 감광막의 구조를 변화시켜 주는 것을 말함.

External Visual Inspection

반도체 제품의 외관상태를 육안검사하여  불량품을 제거하는 작업.

Esposure

노광, 감광액을 도포한 WF 표면에 회로가 구성되어 있는 Mask를 정렬시켜  자외선 등을 쬐는 작업. 이후 현상작업에 의해 Mask의 pattern이 형성됨.

Extended Memory

Computer의 Read Mode에서 동작하는 범위를 넘어서  실제 존재하는  Memory보다 더 많은 Memory를 사용하는 것처럼 할 수  있는 가상  메모리 기법. 1MB Memory 이상의 영역으로 Protected Mode에서 사용될  수 있는 직선적인 개념으로 메모리를 더하여 주는 Memory를 말한다.

Extraction Voltage

Ion Source에서 Ion Beam을 추출하기  위하여 가해주는  전압.

Extrinsic Semiconductor

진성 반도체(Intrinsic Semiconductor)과 상반되는 말로서 진성 반도체에  불순물(3가, 5가 그밖의 다른 원소)을 가첨가하여 전기적 특성을 변화시킨  반도체.

Eylet

부품리드나 전기적 접촉을 기계적으로 지지하기  위하여 터미날이나 인쇄 기판에 삽입된 빈튜브.

 

 

 

 

F

 F(Frequency)  주파수.

FA(Factory Automation)

Factory Automation(공장자동화)란  사람이 하는 일을 기계(computer, robot, conveyer 등등)로 하도록 함으로써 생산성 향상, 품질향상 및 성력화를 가져오는데 목적이 있으며 남은 인력은 다른 분야에 투입내지는 활용함으로써 인력난을 해소하여 산업발달에 기여하는데 또 다른  목적이 있다.

FAB(Fablication)

웨이퍼(Wafer)의 가공을 의미함.

2nFactorial Experiment

2원배치법. 실현하고자 하는 n개의  인자의 수준수가  2인 Factorial 실험법을 말한다.

FAB Process(Fabrication 공정, 제조공정)

고청정 상태에의 Wafer 가공, 또는 제조공정을 말하며 크게  Diffusion, Thin Film, Photo, Etch  4공정을 大分할 수 있다.

Factor

인자. 실험결과에 영향을  미치는 원인으로 다른 수준의  인자들이 실험 내에 포함된다.

     Note) 온도, 속도, 전압과 같은 계량 인자와 재료 및 촉매의 종류, 장비의 유형 등과 같은 계수 인자가      있다. 실험에 적용될 인자들을 "주요인자(Principal  Factor)라 부른다.

Version or Level of a Factor

인자의 수준. 실험을 하기 위해 주어진 조건의 수를 말한다.

     Example) 촉매의 유·무에 따라 2수준으로 구분한다. 가열 온도가 100℃,  120℃, 140℃, 160℃인      경우에는 4수준이라 한다.

Factorial Experiment(General)

요인실험. 2수준이상의 두  개이상의 인자로부터 가능한 모든 실험 조합들을  구성하여 주효과 및 교호작용을 추정하기  위한 실험법을 말한다.

Fail Memory(페일 메모리)

메모리 Device의 Function  Test時 Device에서 측정된 결과를 Device에  인가한 패턴과 동일한 스피드로 보관할 수 있는 테스터 메모리

Failure Limit(실격한계)

TR 등의 전자부품을 수명시험할 때 불량이라고 판정할 수 있는 규격의 한계.

Failure Mode

불량유형. Failure에 영향을 끼치는 결함의 종류.

Falg

필드의 경계를 나타내기 위해 문자나 단어에 묻어 있는 정보 비트. 어떤  조건이 나타난 프로그램의 뒷부분을 설명하기 위해 쓰이는  지시어.  여러 가지 혼합된 집합에서 같은 종류임을 구별하기 위해 사용하는  식별자 단어표시와 같이 식별을 위해 상용되는 기호로서 태그(tag)와  비슷한 뜻으로 사용된다.

Fall Time(하강 시간)

TR의 스위칭 특성을 스위칭 시간으로 나타낼 때 베이스의 입력이 OFF로  되어 Collector에 흐르는 출력전류가 ON상태일 때의 90%에서 10%로  되기까지의 시간.

Fan Coil Unit

Coil내로 냉수 또는 온수를 통수시켜 사용목적에 적합한 온도를 유지시켜 주는 설비.

Fan Out Capability

Device가 Data 출력시 Current Drive 능력을 말함.

Fan-in

스위칭의 논리회로에서 입력측에 접촉할 수 있는 게이트의 수.

Fan-out

논리회로에서 입력측에 접속 가능한 부하의 수.

Fast Page Mode

컴퓨터 시스템이 데이터를 access하는 방법으로 가장 보편적으로 활용되고 있는/CAS signal의 toggling에 따라 데이터가 access 되는 방식.

Farad

정전용량의 단위. 1F의 콘덴서에  걸리는 전압이 1volt/sec의 변화를 할  때 1A의 전류가 흐른다.

Fault Coverage

Simulation 실시후 전체 Simulation Vector가 전체회로중 몇 %를 access하여 output 단자로  그 결과를 반영하는지를 수치로  나타낸 것으로서  얼마나 충실하게 Simulation Vector가 작성되었나를 나타내주는 지표.

FCC(Federal Communication Commision)

전국연방통신위원회

FCU(Fan Coil Unit)

송풍기, 냉, 온수 및 필터  등으로 함께 만들어진 실내용 공기 조화기.

FDD(Floppy Disk Driver).

FDM(Function Data  Module)

품명의  기능을 점검하기   위해 기능데이타(Function Data)를 실행시키는 Module.

FDMA(Frequency Division Multiple Access)

주파수 분할 다원접속.

Feedback

자기수정 또는 자기제어의 목적으로 기계, 처리 또는 시스템으로부터  출력되는 일부를 다른 위상(Phase)으로의 입력으로 컴퓨터에 되돌려  보내는 것.

Fermi Enery

고체내의 전자는 모두 전자가  같은 energy를 가지고 있는 것이 아니라  여러 가지의 energy 값을 가지고 있다. 이 전자가 갖는 energy 상태를  페르미-디랙 분포라 하는데 이것은 확률분포를 하고 있다. 이  분포는  물질과 온도에 따라서 정해지는데 전자의 점유확률이 정확히 1/2로 되는   에너지 값을  페르미 에너지라고 하며 기호는 F로 나타낸다.

Fermi Level

절대온도 0°K에서 전자가 점유할 수 있는 가장 높은 Energy  준위.  반도체에서 T〉0°K일 경우 전자의 점유확률이 ½되는 Energy 준위.

Fermi-Dirac 통계

개개의 Particle을 구별하지 않고 Pault  배타원리(한 State에 1Particle만 존재)를 적용한 통계방식. 이 통계는 Low Concentration과 High  Temperature일 경우, 고전 통계인 MaxWell-Boltzmann 통계와 같은 형태로 나타난다.

FET(電界效果 Transistor : Field Effect Transistor)

전기전도(電氣傳導)에 기여하는 Carrier의 역할을 전자 또는 정공(正孔)의  어느 하나가  담당하는  Transistor. 전자도  정공도  Carrier의 역할을  하는  Bipolar에 대하여 Unipola(單極) Transisor라고 불리운다.

FFU(공조방식)

Fan Filter Unit 공조방식. Fan과 Filter의 일체형으로 Filter상부에  설치된 Fan이 공기를 Clean에 공급.

Field oxide

Active와 Active를 절연시켜 주는 산화막.

FIFO

First in, First out 선입 선출.

FIL(Filament)

이온 생성을 위해 전자를 방출시키는 소재.

Fill Factor

어떤 주어진 시간에 조사되는 디스플레이 전체 면적의 백분율.

Filter(여과기)

먼지 및 불순물 등 필요한 것 이외이 것을 걸러내는 장치.

Filter Paper

Sawing 후 Wafer를 Break-Up할때 Chip을 보호하기 위해 Freon에 적셔 사용하는 여과기.

Final Test(조립/Class Test)

조립된(Package) 제품에 대해 제품출하전 마지막으로 전기적 특성을  검사하는 것.

Finger Coat

Wafer취급시 인체에 의한 오염을 방지하기 위하여 손에 착용하는 것.

Fire Damper(F.D)

화재발생시 Duct를 통하여 화재의  확산방지용으로 설치된 Damper로써  기류온도가 70℃이상이면 날개지지용 Fuse가 녹아 자동적으로 기류를  폐쇄하는 Damper.

Firm Ware

장비 제조회사가 그 장비에만 응용되게 특별히 고안한 Software이며  보통 ROM(Hardware) 속에 들어있는 경우가 많음.

First Article(사전검사)

양산작업전에 사전에 작업조건을 점검하기  위해 부품을 결합하여 성능을 시험함.

First Bond

금선의 볼이 형성된 것으로 캐필러리의 Inside Chamber에 의해서  Chip Pad에 형성된 Bond.

First Minimum

Gooch & Terry 곡선에서 첫번째 투과율이 0이 되는 곳을 말한다.

FIT(Failure in Time)

Life Test를 통하여 X2 분포를 이용, %/khr의 불량률과 109 device hour의 곱을 의미한다.

Fixture

개별 소자의 수동 검사를 위한 기구.

Fixed Oxide Charge(Qf)

Oxidation 분위기, 온도, Cooling 온도  및 Silicon 결정방향에 관계하는 Oxide내 Charge.

Flange

Blade<웨이퍼 절단용 톱날>을 Spindle에 정착시키는 치구로서  이것의  외경이 Blade의 길이를 결정 지음.

Flat Pack

IC의 겉모양에 따른 포장형태로 납작한 형태 IC형태를 말하며, 거의  평면과 동일하게 기판위에납땜을 할 수 있음.

Flat-Zone Aligner

Carrier에 Loading되어 있는 wafer 평면(Flat-Zone)을 위로  맞추는 기계.

Flash EEPROM

한 개의 트랜지스터로 이루어져 셀 면적이 작은 EPROM과 전기적 소거가 가능한 EEPROM의   장점을 조합하여  EPROM의  프로그램  방법과 EEPROM의  소거방법을 수행토록 만든  소자로서, EPROM, EEPROM과  유사한  설계와  공정을 거쳐 생산됨. 외부에서 고전압을 가해 데이터를 기입하며 전기적인

소거도 Memory Device 전체  또는 Block별로 가능하다.  이 Flash Memory는 NOR형, NAND형으로 대별되며 NOR형 EEPROM은  Hot Electron을 주입하는 기입방식을 적용하고, NAND형은 터널현상과  페이지 동작회로 기술을 조합하며 프로그램 속도가 빠르다. 기억된 정보는 전원이 꺼지더라도  없어지지 않아 비휘발성 메모리라 불리운다. 최근 Memroy 시장에서  hard disk를 대체할  소자라서 기대되고 있다.

Flat Zone(평평한 부위)

Wafer의 방향 및 종류를 표시하기  위해 일정 방향으로 cut해 놓았는 데  그 면을 지칭.

FLC

층상으로 분자 배열하는 스메틱 액정을 이용해서 강유전성 기능을 가진 것.  쌍안정상태의 메모리 기능과 스위칭 속도가 매우 빠르다. 크로스 토크가  없고,  시야각이 넓으며, 단순 매트릭스 구동이 가능하다.

Flexible Printed Circuit

구부러질 수 있는 인쇄기판.

Flexural Strength

휨. 강성.

Flip-Flop

2진수(Binary)를 기억할 수 있는 기초 전자회로로서, 두가지의 안정 상태(ON 또는 OFF)을 갖고 있으며, 논리회로나 기억장치구성의 기본회로임.

Flicker(플리커)

텔레비젼의 수상화면이나 형광 등의 깜박임과  같은 광도의 주기적인  변화가 시각으로 느껴지는 것을 말함.

Floating Gate

MOS TR의 게이트 절연층 속에 매입된 금속 또는 다결정 실리콘으로 된  전극을 말하며 전기적으로 떠있으므로 Floating Gate라고 한다.

Floor Plan

반도체 설계시 Chip을 Layout하기 전에 각 Block의 layout을 전체적으로 배치하여 layout상에 block의 위치와 배선을 결정하는 작업.

Flux

금속을 솔더와 잘 접속시키기 위하여 물리적이나 화학적으로 활성화시키는  물질.

FMS(Facility Monitorng System)

중앙집중식 환경관리 System으로 Line내의 온·습도, Particle,  Hepa filiter에 흐르는 공기의 속도(유속), 순수의  순도등을  측정하는 System.

Foot Print

PCB와 Component를 납땜할 수 있도록 만들어 놓은 자리.

Forbidden Band(금지대)

전자가 취할 수 있는 에너지의 폭이 띄엄띄엄이고 그 사이에는 전자가  취할 수 없는 에너지 폭이 있다. 이 전자가 취할 수 없는 에너지 값의 범위를 금지대라고 한다.

Forming Die  Forming I.C.

lead frame의  lead를 요구하는 현상 즉, curl, Z form 등이 있으며,  clie Punch를 요구형상으로 제작하여 그 사이에 lead frame을 위치시켜  곡선을 따라 꺽는 작업을 말하며 이와 같은 금형을 포옴 다이라고 한다.

Forming Gas

     1) Die Attach 및 Wire Bonding시 재료의 산화를 방지하고 환원을  목적으로 H2와 N2를 일정비율로         혼합한 Gas.

     2) FAB 제조공정(확산, 식각)에서 본래의 공정이 정상적으로 잘 진행하기 위하여 사용하는 분위기         Gas.

Forward(순방향)

PN접합의 P쪽에 +, N쪽에 -의 전압을 가하는 방향을 순방향이라고 한다.

Forward Current(순방향 전류)

PN 접합에 순방향  전압을 가했을 때 흐르는 전류를 말한다.

Forward Voltage(순방향 전압)

PN전합에 순방향으로  전류가 흐르고 있을때 그 PN 접합의 양단에 걸려있는 전압을 말한다.

Four Layer Diode(4층 Diode)

PNPN의 4층 구조를 갖는 Diode.

Four-Point Probe

막질의 sheet 저항을 측정하는 장비.

FOX(Fast Oxidation)

고압(0∼25기압)에서 증기 산화방식을 이용하여 산화막 성장속도를  빠르게 하는 장치로서 Hipox라고도 함. (High Presure oxidation)

FP(Flost Point)  이슬점.

FPGA(Field Programmable Gate Array)

미리 program할 수 있도록 제작된 chip에 사용자가 CAD를 이용하여  로직을 구현할 수 있도록 한 제품.

FPO(Finish Process Order)

동일  품종의 Lot를 동일수준의 품질을  가지고 있다고 판단하여  여러 Lot를 1개의  Lot로 묶어 공정 flow  시키는 경우, 하나로 묶은 Lot를 FPO Lot라 한다. 작업능률 향상을 위해 사용.

FQ(Full Qualification)

Customer의 요구조건을 충분히 만족시킨후 양산.

FQA(Final Quality Assurance)

최종 품질 보증, 제품의 제품 창고 입고전이나 출하직적 실시하는  검사공정을 총칭하며, 불량제품의 사전 검출에 그 목적을 둠.

FR(Failure Rate)

 "제품의 불량율"로서 제품을  계속해서 사용했을 때 불량이  발생할 가능성을 나타냄.

Fractional Factorial Design

일부실시법. 완전 Factorial 실험법에 필요한 조합의 적절히 선택된 분수.  Frame  Reticle/mask를 alignment할 수 있게 공정용 pattern 및 process상 필요한  item들을 sawing할 수 있는 scribe  line에 삽입하여 alignment할 수 있게  만든 형틀이다. 설계된 제품의 노광을 위해 한 번에 노광한 제품을 배열한  형틀로서 제품과  제품사이의 scribe  line내에는 노광장비에서  사용할  align   key 및  process inspection용 pattern을 포함하고 있다.

Frame Time

화소의 데이터가 들어오는 시간 간격으로 Refreshing time과  같다.

Frame Ring

Wafer를 완전 전달하기 위해 Tape에 접착시킬 때 지지하여 주는 틀.

Free Election(자유전자)

전자중에 결합력이 약하여 결정  격자의 구성에 관여하지 않고  결정속에서 전계에끌려 자유로이 움직일 수 있는 전자.

Freon

고열이 발생하는 부분의 열을 냉각시켜 주기 위하여 사용되는 냉각제.

Freedericks (전이)

자화율 이방성이 양인 네마틱상에서 자계를 인가하면, 액정분자를  자계방향으로 배향하려고 한다. 그러나 표면에서의  액정의 배향을  일정하게 규제하는 것 같은 처리를 행한 기판의 평행한 유리기판에

액정을 넣고 기판의 배향 속박력에 의해서 액정분자를 일정한 방향에서  배향된 샌드위치  셀을 만들고 수직 자계를 가한 경우 Hc에서 자계 방향으로 배향이 일어나는 것을 말함.

Frequency Distribution

도수분포. 개별 관측치 및 그  값이 시료나 모집단에서 발생한 빈도수를  나타낸 것을 말한다.

Frnak의 탄성정수

배향 벡터의 찌그럼짐에 관한 곡률 탄성의 탄성 정수.

From/To chart

inter-bay 및 intra-bay의 작업 진행을  simulation하기 위하여 공정 진행 예정표를 작성하는 chart.

FSTN(Film Super Twist Nematic)

DSTN과 유사하게 칼라  보상 액정셀 대신 폴리머된 매우 얇은 막을  사용한다. FSTN은 DSTN에 비해서 콘트라스트는 떨어지지만 큰 시야각이라든지 저 소비력이라는 큰 장점을 갖고 있다.

FTA.(Fixed To Aattempt Ratio)

한 Wafer의 Repairable  소자들에 대해  Fuse Cutting 한후 양품화되는  소자의 수를 백분율로 환산한 값을 말한다.

FT(Current gain Band with product)

차단 주파수.

Full-Auto

장비가 HOST의 통제를 받으면서 AGV가 CST LOAD/UNLOAD를 수행하는 상태 및 그 표시.

Full Bar GOI Pattern

GOI 측정을  위하여 ISO (Active) MASK와 PAD(Repair) MASK를 사용해서  단순히 Poly/Oxide(or ONO)/P-SUB 구조의 Capacitor를 형성시키는 공정 진행 과정.

Full Custom 제품

자동화된 tool을 사용하지 않고 원하는 chip의 특성에  맞게 설계하는  IC 설계방법. 회로설계시 MOS transister level부터 시작해서 회로구성,  simulation, optimization을 실시한 후 chip 전체의 area를 최적화하기  위해 수작업으로 layout하여 완성된 반도체 제품.

Full Cutting

완전 절단. 테이프 절단(Tape Cutting)  과 같은 말로 Wafer를 완전 절단(95∼100%)함을 말함.

Fume(증기)

화공약품의 증기를 말함.

Function Test

Device의 동작이 진리표에 명시한 대로 동작하는지를 검사하는 것으로  테스터에서 패턴이나 벡터를 Formater나 Device를 통해 인가한다.

Furnace(확산로=tube)

확산실에서 Deposition, Drive -In, Oxidation 혹은 Alloy를 하는 데  사용되며 긴  원형의 QZ를 이용하여 450℃에서 1250℃까지의 온도공정을  진행할 수 있으며 횡형과 종형이 있음.

Fazzy 이론

Fuzzy라는 의미는 '이해하다', '보호하다'는 의미로서 기존의  컴퓨터가  '0' or  '1' 또는  'Yes' or 'No'라고  극단적으로 판별밖에  할 수 없으나  Fuzzy이론을 활용하면 그 중간단계도 판별이 가능하며 인공지능의 역할에  접근하게 될 수 있다.

FW(Filter Water)

일반 정수처리된 물.

F.W.W(Flouric Waste Water)

불산폐수로서 약품중 불산을 사용하는 장비에서 배출되는 폐수를 말함.

 

 

 

G

 G-Line Stepper

사진공정시  사용되는 가시광선의   광원중 자외선  영역의  436nm 파장을 갖는 사진 장비.

GaAs(Gallium Arsenide)

화합물 반도체로서 초고속 장치에 사용되며, 고주파에서의 이득과  대역폭 특성이 양호하여 차세대에 Silicon 대신 많이 이용되는 물질.

Gallium Phosphide(칼륨인)

주기표 제Ⅲ측에 속하는 칼륨(Ca)과, 제Ⅴ족에 속하는(P)의 금속간 화합물로서 반도체로서의 성질을 가지고 있으므로  금속간 화합물 반도체라고 한다.

Gas Scrubber

공기나 Gas중의 불순물 또는 분진을  물의 분사나 수막에 의하여 씻어 내리는 장치.

Gate

     1) 논리회로에서 몇 개의 Transistor를 조립하여 만든 계수형회로를  말하며, 2진 정보가 입력의          조합에 의해 형성되는 논리 회로.

     2) 반도체 장치에서 MOS  Transistor에 입력을 가하기  위한 단자로서  Bipolar Transistor의          Base에 해당하는 단자.

Gate Array

논리소자인 NOT-Gate,  AND-Gate,  OR-Gate,  NOR-Gate, NAND-Gate 등의  구성이 되어있거나,  구성할 수 있도록 Transisitor가  필요한  양만큼 만들어져 있는 Logic 소자로서 주문형 소자로 많이 사용됨.

Gate oxide

TR이 형성되기 위한 제 2의 요소, insulator 역할을 하며,  MOS TR의 Gate 밑의 유전체로 사용.

GD Mark(Good Design Mark)

우수 디자인 마크.  Gel  고분자 용액과 콜로이드 용액이 고화되어  제리상의  탄성을 갖는 고체로 된 것을 말한다.

Gel Time

프리프레그레진이 가열되어 고체에서  액체상태를 거쳐 다시 고체로  변환되는데 소요되는 시간을 초로 표시한 것임.

Germanium

게르마늄. 잘 알려진 반도체 재료중의 한가지.

Gettering(게터링)

소수 캐리어의 수명개선, 접합에서의 누설전류를 줄이는 것,  Si-SiO2계 면에서 여러 가지 전하의  영역을 줄이는 것들을 말하며 아직 제대로  이해되지 않은 영역이다.

GIDL(Gate Induced Drain Leakage)

얇은  gate oxide를 사용한 소자에서 breakdown voltage 이전에서  drain과 substrate간에 leakage current가  발생되는 것이 관찰되는 데 이는, gate와 drain 사이의  field에 의해 drain 부위가 deep

depletion되면서 band의 급격한 휨이 일어나게 되고, 전자의 band간  tunneling에 의해 drain junction을 빠져나간후 inpact ionization에  의한 EHP를  생성시켜 전자는 drain에 hole은 substrate로 빠져나가  leakage current를 형성하게 된다.

GIGO(Garbage In Garbage Out)

컴퓨터  또는 Data Base에 과다  의존하는 것에 대한 경고의 의미로  Input Data가 좋아야 좋은 분석이나 결과를 얻을 수 있음을 나타낸다.

Glass Substrate

아몰퍼스 실리콘용 트랜지스터 기판에는 무알칼리 유리가 이용된다.  알칼리이온에 의한 트랜지스터의 오염을 방지하기 위해서다.

Gm(Transconduction)

Gate와 Source 사이의 전압 변화에 대한 Drain 전류의 변화 정도를  나타내는 양으로, Bipolar Tr의 증폭도(β)에 해당함.

GN2(General N2)

용역동에서 생산되어  라인 장비에 직접  공급되는 N2 주로  Purge용으로 사용됨.

GO/NO-GO TEST

제품검사시 각 항목이 규격에 합격(pass)인지 불합격(fail)인지 판정하여  다음항목을 검사하고(GO), 불합격이면 다음검사를 하지 않고 (NO- GO) 끝나는 검사방식으로 주로  양산검사시 많이 사용한다. Wafer에서의  Die나 Package를 이용하여 그 Device의 양/불량을 판단하는  Test를   말한다. 일반적으로 이때 사용하는 Test Program은 생산용 Program이다.

GOI(Gate Oxide Integrity)

Gate Oxide의 품질정도를  말하며, 전압을 증가하면서 누설전류가  파괴전류가 될 때의 전압(BV, 파괴전압)으로 나타내다.

GOI 측정

System으로는 In-Line Diffusion 공정中 Oxidation 공정(ex: Init Ox,  Sac Ox, Gate Ox. . . etc)에 대한 Tube, Recipe, W/S 등의  상태를  점검하기 위하여 측정하는 Electrical  Stress Test로써  통상  HP System   또는 Kethley 236  System 등으로 구성된다.

GOI BV   Test

일련의  GOI  측정 방법으로써   Voltage Forcing,  Current  Measuring으로 Gate Oxide Break Down Voltage를 측정한다.

GOI CUM Graph

GOI측정 Data를  Normalized Gaussion 분포 Graph에  올려서 분석하는 통계적 분석용 Graph.

GOBI(Get off Burn-in)

Infant mortality의 일정 goal을 설정하여 그 goal을 만족하였을 경우의 burn-in을 말함.

Grade Junction

PN 접합은 하나의 반도체 단결정 속의 P형으로부터 N형으로 바뀌는 부분이다. 이 P형에서 N형으로 바뀌는 모양의  불순물 농도가 P형에서  N형으로 완만한 경사를 가지고 변화하는 것을 경사상 접합이라고 하며  확산형 접합이 이것에 해당한다.

Graeco-Latin Square

그래코 Latin 방격. 4인자중의 어느  한 인자의 수준과 다른 세 인자의  수준의 조합들이 한번에 하나씩만 발생하도록 구성된  4인자 실험 계획법을 말한다.

Grain(미세입자)

결정을 구성하는 가장 기본적인 조직을 의미한다.

Grating

Clean공조방식 중 Down Flow Laminar Unit의  공조 흐름 유도용으로,   Floor에 구멍을 뚫어 공기가 빠져 나가도록 한 것. 이는 Access Floor 형식의 바닥구조에서 쓰일 수 있음. 일반 바닥 겔러리와는 다르므로  구별되어야 함. 또한 이것은 Aluminum으로 되어 있어 정전기를 방지함.  실내의 차압을 유지시키고 공기 유동을 원활하게 한다.

Grid

인쇄기판상에 어떤 지점의 위치를 표시하기 위하여 직교되는 선.

Ground Gate(게이트 접지)

전계효과TR(FET)에는 트랜지스터나 진공관과 같이 3가지 접지방식이  있으며 GATE를 입출력의  공통전극으로 하는 회로를 공통 게이트 (Common GATE)라고 한다. 공통 전극은 보통 교류적으로  접지하기 때문에 이것을 게이트 접지라고도 한다.

Grown Junction Diode(성장접합형 Diode)

성장접합에 의해서 PN  접합을 형성시킨 접합형 다이오드의 일종이다.

GSP(Group Sampling Plan)

소량 lot를 합쳐 대 lot로 구성하여 Sampling하는 제도.

Guard Ring(가아드 링)

PNP 실리콘 TR을 플레이너  구조로 만들 때 P형 콜렉터 표면의 일부가  N형으로 변화하는 채널의  현상이 있어서 보호작용이 불완전해지는  결점이 있어 MOTOROLA사가 이 문제를 해결하기 위해 정규의 콜렉터·베이스 접합의 바깥쪽을 환상의 P형 영역으로 둘러싸서 콜렉터에  채널이 생성되는 것을 차단하는 방법을 고안해냈다. 이 P형 영역은  매우 높은 농도로 확산함으로써 이 부분에 채널이 생기지 않도록 하기때문에 트랜지스터로서 동작하는 부분은 완전히 산화피막의 아래에  들어가 버려 노출하지 않게 된다.  이 방법을 가이드링 또는 밴드 가아드(BAND GUARD)라고 부른다.

Guard Rings

CMOS 경우 기생적으로 형성하는 Latch- up 현상 발생을 억제시켜주기  위해 넣어주는 pattern으로  둘레를 따라 Ring처럼 만들어 준다.

Guest-Host Effect

액정 재료에 다색 색소를  혼입한 것은 액정 분자가 전계 인간에 의해  그 배열 방향이 바뀌는  것을 이용해서 색소 분자의 배향을 바꿀  수 있다. 이것에 의해 전계 인가로 액정 셀의 색을 변화시킬 수 있다.

액정 재료를 호스트, 색소를 게스트라 한다.

GUI(Graphical User Interface).

Gunn Effect

N형 GaAa 결정의 양단에 OHMIC 접속을하여 이 단자간에 직류전압을 가하고  그 전계를 차츰 증가시켜 가면 전류와 전계의  관계는 직선에서 벗어나  구부러지기 시작하며, 전계가 3000V/Cm 정도의 한계값을 넘으면 갑자기  전류가 진동을  하기 시작하여 마이크로파를 발진하는 현상이 일어난다.

이것을 Gunn Effect라 한다.

GY(Grave Yard)  야간 근무.

 

 

 

 

 

 

H

 H2  Hydrogen 수소가스.

HA(홈 오토메이션 Home Automation)

약칭 HA로 홈  일렉트로닉스(HOME ELECTRONICS)라고도 한다. 전자기술과 마이크로 컴퓨터를 가정생활의 모든 면에 보급시켜 괘적한 생활환경을 조성하고자 하는 시스템.

H.A.L(Hot Solder Air Leveling)

P.C.B 표면 도금방법의 종류.

Handler

Package화된  다량의 소자를  동시에 Test하기   위해 소자와 Test System과 연결시켜 주는 장비.

Handling

(조작, 조작한다)

HDTV Projection

TFT-LCD  고화질 TV의투사형 디스플레이로 최저 120만 이상의 화소수를 가지며 콘트라스트는 100:1이상의  고정세화, 풀칼라화된 디스플레이다.

Half Cutting

Wafer를 70∼80% 절단함을 말함.

Halide

Halogen 원소와 이보다 전기 음성도가 작은 원소와의 2원 화합물. 플로오르.

Hard Fail

시험공정에서 규정된  여러조건에 관계없이 불량이 나는  경우 보통 defect에 의한 경우가 대부분이며 이와 같은 불량현상을 말한다.

Hardware

물리적 형태를 가진 또는 그  일부를 지칭하는 것으로, Computer에서 Software와 대응하는 기능을 말하는 기계구조 자체를 의미함.

HB(Heater Block)  열전판.

HCT(High Speed C-MOS TTL)

고속의 C-MOS TTL이며 기존의 LSTTL 제품이 지니는 단점(고 소비전력)을 보완한 것으로서, Comuter  및 Computer 기술을 필요로 하는 각  전자부품내의  CPU, Memory, 주변기기 주요 IC들과  함께 내장되어 각 기능을 상호 연결시켜 주는 역할을 수행하는 제품.

HDD(Hard Disk Drive).

H/D(Handler)

조립(Package)된 제품을 검사하기 위해 Tester와  연결되는 설비.

Heat Sink Plane(방출판)

기판표면이나  내층에서 열에 민감한  부품들로부터 열을 제거하여 주는 역할을 하는 평면.

Hepa Box

Clean 공조의 말단에 Room내에 Hepa Filter를 장치한 Box.

HEPA Filter(High Efficiency Particulate Air Filter)

Clean Room에 설치된 고수율정밀 filter로서 기류가 수직방향으로 흐른다. (0.1㎛-99.9995%)

HEMT(High Electron Moblitty Transistor)

고전자 이동도 트랜지스터.

Hermetic seal

기밀 봉지라고도 하며  공기나 습기가 들어가지 않도록  밀폐한 용기.

Hetero Junction

하나의 반도체 결합속에서 P형으로부터 N형으로 바뀌어 가는 부분이 있을 때 그 접합 부분을 PN Junction이라고 한다. 대부분의 경우 P형부분이나 N형부분 모두 같은 종류의 반도체로 되어 있다.  그러나, 하나의 단결정이면서 2개의  종류가  다른 반도체를  포함하는  경우가 있는 데   이것을 HETERO Junction이라고 한다.

Hertz

주파수의 단위로서 cycle/second를 나타내며 Hz로 표시한다.

High Power Inspection

wafer 가공상 생긴  die 표면과 각 회로상의 불량을 고배율 현미경을 사용하여 검사하는 작업.

Hfe(DC Current Gain)

Emitter접지 상태에서 직류 전류 이득.

HGC(Hercules Graphics Card)

MDA를 에뮬레이트하고  동일한 흑백 TTL 디스플레이에서 실행되지만  CGA보다 높은 해상도를 가진  흑백 그래픽 기능들을 추가.

Hidden Refresh

CBR과 같은 Refresh 형태이며 Data를 보면서 Refresh가 가능하다.

Hierarchy

LSI Design시 주요 뼈대부분부터 세밀한  부분까지 차례로 Design 해 나가는 방법.

High Pressure Cleaner

절단된 Wafer 세정  장비로서, CO2가 함유된 고압의  D-I Water로 세정하는 것.

Hillock

산화막 위에 금속 박막을 증착시켜 열처리 할 때 열팽창 계수차에 의해  생겨나며 상어 등 지느러미 모양의 솟아 오른 형태를 가짐.

HMDS(Hexa Methyl Di Silazane 처리)

감광액과 Wafer 표면의 접착력을 높이기 위해 감광액 도포전 Wafer에  주는 Primer(접착강화제) 중의 대표적인  한  종류.

H-MOS(High-performance MOS)

단자 소자의 크기를 줄임으로서 MOS IC의 속도를 증가시키는  고성능  N-NOS 제조기술  또느 이것으로  이룩된 고성능  MOS.

Hold Time

기준 신호에 대하여 Data가 최소한 유지되어야 하는 시간으로 기준 신호에 따라 tCAH(Column Address  Hold Time) tRAH(Row  Address Hold Time), tDH(Data Hold Time) 등이 있다.

Hole

반도체 속에서 가전자대에 있는 전자의  이동으로 생기는 비어 있는 전자의  준위를 말하며 정공이라고 함.

Hole Density(홀밀도)

단위면적당의 홀의 개수.

Hole Pull Strength(홀인장력)

도금된 도통홀을  홀의 수직방향으로 끌어당겨서 찢어내는데 소요되는 힘.

HOPL(High Temperature Operating Life Test)

 "고온동작 수명시험"으로서, 125℃ Oven속에서 7.5(V)  Bias, 1000시간을 가하여 시험하는 "수명시험"을 말함.

Host Computer

주 컴퓨터 또는 전체 컴퓨터를 제어하며 데이터 교환을 규제하는 Software를 가지고 있는 컴퓨터.

Hot Carrier

gate 및 Drain 등에 의한 electric field로 인해 가속된 Carrier들의  연쇄적 충돌로 발생된 보다 높은 Energy를 가진  Carrier를 말한다.

Hot DI Water

뜨거운 D·I Water(85℃). 웨이퍼(Wafer) 세정시 사용.

Hot Electron

결정에 전계를 가하면 결정속의 전자가  전계해서 에너지를 얻는다.  보통의 상태(전계가 그다지 강하지 않은 상태)에서는 전자가 얻은  에너지를 결정을 구성하고 있는 원자에 줌으로  전자와 결정의 원자는

같은 정도의  에너지를 갖게 된다. 그러나 전계가 강해지면  전자는  얻은 에너지를 원자에  나누어 줄 수 없게 되어 결정보다 전자에  에너지쪽이 높은 상태로 된다. 이러한 상태에 있는 전자를  Hot Electron이라한다.

Hot Press

실 프린팅(Seal Printing)과 액정 주입후 앞과 뒷 유리를 붙이기  위해서 상온하에서 가압하는 것. 상판 유리와 하판 유리를 정착시키는 것을 말함.

Hot RUN

RUN(LOT)들 중에서 특별한 목적을 위해 다른 RUN에 우선해서 진행시켜야 하는 것들이 있는데 이를 가르키는 것으로 작업의 신속화를  위해 Normal RUN보다 빨리 공정을 진행함이 요구되는 RUN.

Hot Test

제품을 고온상태에서 검사하는 것.

HP4145

Wafer Level 반도체의 DC 특성을 여러 가지 조건을 변화시켜 주면서  그 결과를 Graphic 또는 도표로 표시하여 주는 Bench Test tool.

H/S(Heat Sink)

방열판, 즉 PKG에 붙어  있어 열을 방출시키는 작용을 하는  판.

HSPICE

Unix Language를 이용한 Analog 회로 Simulatior로써 Berkly SPICE,  ASPEC 및 기타 Simulator들을 기초로 만들어졌으며, Steady State,  Transient 및 Freguency 등에 대한 전기회로들을 Simulation 할 수  있는 Tool.

HTO(High Temperature Oxidation)

고온산화. 실리콘 표면에  산화막을 형성하는데 있어서 가장 많이  쓰이는 방법의 하나이다. 고온도속(900℃)에서 Si웨이퍼를 넣고  이것에 산소, 수증기와 같은 산화성가스를 보내서 Si  웨이퍼 표면을 산화하여 SiO2를 만드는 방법.

HTRB(High Temperature Reverse  Biase)

 "고온  역 Bias  시험"으로서 Device에 Bias를 인가하여 고온의  Oven 속에서 진행되는 시험을 말함.

HTS(High Temperature Storage)

 "고온  보관 시험"으로서, 고온(125℃)의 Oven속에서 Device를 저장하는 환경 시험을 말함.

HUB

제어패널 또는 플러그 보드 위의 소켓으로, 신호를 전송하기 위해  전기 단자나 플러그 와이어를 연결할 수 있으며 특히 신호를 여러  다른 선으로 분산시켜 내보낼 수 있는 기기.

Humidity  습기, 습도.

HVAC Heating Ventilation and Air Conditoining(空氣調和  시스템)

실내공기의 온·습도 조절 및 통풍(순환)을 포함한 공기처리 시스템.

Hybrid-Circuit

한 기판 위에 여러 종류의 능동조사,  수동소자 또는 집적회로  등을 부착시킨 전자회로를 말하며, 혼성집적 회로라고도 함.

Hybrid I. C

반도체 기술과 박막(THIN FILM)  또는 후막(THICK FILM) 기술의 양쪽을  혼성하여 만들어지는 I. C를 말하며 반도체  기술에 의해 다이오드나  트랜지스터 등을 만든 기판위에 다시 절연층을 만든후 박막기술 및  후막기술에 의해 배선이나 저항, 콘덴서 부분 등을 만들어내는  혼성형 I. C를 말함.

 

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I-Line Steeper

사진 공정시 사용되는 가시광선의 광원중, 자외선  영역의 365㎚의 파장을 갖는 사진 장비.

Iagc(AGC Current)  AGC 전류.

Ib(Base Current)  베이스 전류.

IC(Collector Current)  콜렉터 전류.

IC Memory

종래의 자성체 대신에 바이폴라 TR이나  MOS TR로 F-F를 구성하여 기본 Memory(Cell)를 만든 IC 회로.

IC 카드(Integrated Circuit Card)

집적회로(IC)를 내장한 카드의 명칭. 종래의 카드에 비해 기억용량과  안전성이 한층 향상되어 금융, 유통, 의료 등 응용분야가 넓고  다기능적인 역할을 가진 다음 세대의 카드로 기대된다.

Icc(Circuit Current)  제품공급 전류.

ICCE(International Conference on Consumer Electronics)

ICE(In Circuit Emulator)

Program 개발시 전 Debugging 과정을  통제하는 H/W System.

ICOT(Institute for new Generation Computer Technolgy)

일본에서 82년 차세대 컴퓨터를 개발하기 위해 설립한 연구소.

IC Tester(집적회로 검사장치 Integrated  Circuit Tester)

출하직전  IC의 전압이나 저항 등의 전기적  특성을 검사하고 불량품을  제거하는  장치. 불량품과 양품(良品)을 자동적으로 구별하는  ATE(Automatic  Test Equipment=전자동검사장치)가 주류를 이루고 있음.

ID-TV(Improved Definition TV)

현행 TV  방식에서 수상기만을 개조하여 고화질을 추구한 방식.  가격  경쟁력이 없어 향후 제품으로서의  방향은 불투명한 상태임.

IDP(Integrated Data Processing)

EDPS(전자정보처리시스템) 방식을  더욱 발전시켜 지역적으로 분산해서  발생하는 데이터를 집중처리하는 방식.

I·D Card(Indentification Card)

(소지인이 누구인가를 가리키는) 신분 증명서.

Ids

MOS TR에서 동작시 Source와 Dran간에 흐르는 전류.

Ie(Emitter Current)

에미터 전류.

IEC(International Electrotechnical Commission)

국제전기 표준회의.

IEC(Integrated Equipment Computer)

앞으로의 집적회로가 지향하는 추이로서, 모든 장비의 기능이  하나의 반도체 집적회로로 구성되는 것.

IEEE(Insitute of Electrical and Electronics Engineers)

미국의 전기 전자 공학회로서 전세계에 회원이 분포되어 있고, 각종 학술관계 간행물을 발간하고 있음.

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistors).

IGFET(Insulated-Gate-Field-Effect-Transistor)

(MOSFET의 다른 명칭).

I2L(Integrated Injection Logic)

저항 대신 Bipolar Transistor 형태의 구조인 PNP형 Transistor 부하와  역 동작을 하는  NPN형 Transistor를 이용한 논리회로로 전력소모가  적고 속도가 빠름.

I3L(Isoplanar Integrated Injection Logic)

I2L의 개량된 기술로 이루어진 논리회로로, 각 소자사이를 산화막으로 격리시켜 집적도를 상승시킨 것.

ILT(Infant Life Test)

초기수명시험(신뢰성) 48시간 Burn In과 같음.

Image Sticking(잔상)

동일 화면을 장시간 켜 두었을 때 화면이 바뀌어도 상이 남아있어 오랜동안 없어지지 않고 남아있는 것을 말하며, ghost 효과라 한다.

IMO(Inter Metal Oxide)

Multi Level Metal Process를 적용하고 있는 공정에서, 각 Metal  Layer간의 절연을 위하여  사용되는 Oxide를 말함.  주로 Low  Temperatare에 의한 PECVD Oxide(TEOS 및 SiH4계)가 사용.

Impact Ionization

고체격자 내에서 Electric field에 의해서 가속된  electron과  atom이 충돌하여 electron-hole Pair를 생성시키는 현상을 말함.

Implanter(이온 주입기)

불순물을 강제로 Wafer에 주입시키는 장치로써 고전류,  중전류, 저전류 이온 주입기 등 3 종류가 있다.

Implanting(이온주입)

Wafer 내부로 B(붕소)나 P(인) 등을 Implanter를 이용해 주입시키는 것을 말함.

Impurity

반도체의 전기흐름에 기여하는 각종 원소를 말하며,  P형과 N형 불순물로 나눔.

     P형 : B, Al, Ga, In 등

     N형 : P, As, Sb 등

Incomplete Block Design

불완비 Block 계획법. 실험공간이 실험의 반복 수행에 필요한  실험단위가 모두 포함되어  있지 않은 Block 상태로  분리되어 있는 실험계획법을 말한다.

In-Control Process

평가되고 있는 측정치가 통계적 관리상태에 있는 공정.

Index Feeding

작업대 위에서 작업을 하거나, 작업이 종료된 Lead Frame이나  이송되는 자재를 이동시키는 것.

Index Register

메모리내의 Address를 지정하기 위한 Register.

Induced Cholesteric Phase

네마틱상에  액정상을 갖는 광학 활성인  카이랄 분자를 가하면  콜레스테릭상이 나타난다. 이를 유도 콜레스테릭상이라 한다.

Induced Smectic Phase

혼합 액정에 있어서 제각기 성분  단독으로 스메틱상을 만들지 않는  경우에도 혼합계에서는 어떤 성분비의 범위로는  스메틱상을 만드는 데, 이를 유도 스멕틱상이라 한다.

Indum arsenide  InAs,

Ⅲ-Ⅴ족 반도체 중의 하나임.

Initial Oxide

Si과 Nitride가   상이한 열팽창계수를 갖고  있어  이로 인한  Tensile Stress(1×109 DYNE/㎠)로 인해 이후 열처리 공정에서  결정결함의 발생 확률이 높으며, 이의 방지를 위해  사용하는   Buffered Oxide의 구실을 한다.  또, 이 Oxide의 두께는  향후 Bird's Beak에 영향을 끼치기도 한다.

Injection(주입)

PN 접합면에 있어서 각 영역의 다수 캐리어가 반대쪽 영역으로  소수 캐리어로 되어 흘러 들어가는 현상.

Ink

불량을 표시할 때 사용도는 액체.

Inker

Wafer 검사시 불량품에 Ink를 찍는 장치.

Inking

Package 공정에서 양품의 제품에 대해서만 Package하도록 Wafer 상태에서 불량인 제품에 대해 Inking을하여 양품과 불량품을 나누는 공정.

Inorganic Filter

특별한 파장의 빛에 광학적 간섭이 강하게 나타나도록 무기물을 사용하여 얇은 막을 만들어서 광을 통과시켜 착색하는 방법.

Inprocess Inspection

공정중의 결함(defect) 유무를 검사.

Input Buffer

외부 Signal에 대하여 반도체 소자내부의 Voltage Level에 맞도록 조정하여 받아들이는 회로. Logic Level이 결정되는 Logic Low라고 인식하는 최고 전압이 가능한 높은 전압을 갖는 것이 바람직하다.

Input Level

Device에 가해주는  외부 파형들의 전위로서 Device가  특정상태(High, Low)를 인식하게 딘다.

INSEC(International Semiconductor Cooperation Center)

반도체 국제 교류센터(일본).

Inspection(Normal)

보통검사. 공정이 합격품질수준 또는 그보다 다소 나은 상태에서  진행되었을 때, sampling법에 의해 적용되는 검사를 말한다.

Inspection(100Percent)

전수검사. Lot 혹은 Bath 내의 모든 단위체를 검사한다.

Inspecion(Rectifying)

선별형 검사. 불합격 판정된 Lot이나 Batch에서, 특정 수 또는 모든  단위체에 대한 검사를 실시하는 동안 불량품의 교체 및 제거하는 검사를 말한다.

Inspection(Tightened)

까다로운 검사. 정규(보통) 검사에서 적용했던  기준보다 더 엄격한  합격판정 기준을 사용하는  sampling 검사방법을 말한다. 까다로운  검사(Tightened Inspection)는 제시된 품질수준이 상당히 나쁠 때,  불합격 Lot의 확률을 증가시키기 위한 보호수단으로 사용된다.

Insulator  도체와 도체를 연결시켜 주는 부도체 물질을 말함.

Interaction   교호작용. 하나이상의 인자의 각 수준들에 있어서, 한 인자의 각 수준에 대한 결과를 세밀히 비교하기 위한 측정치(방법)를 나타내는 말이다.

Inter-bay

Bay와 bay간 물류이동을 말하며 clean way(AGV,  Track)가 많이 사용되고 있다.

Interface

Amp 및 Computer 등에 사용되는 것으로서, 주변기기를 서로 연결할 때  동일한 조건으로 상호 교류가 가능하도록 해주는 일종의 신호변환 장치.

Interface Trap Charge(Dit or Qit or Nit)

Silicon과 SiO2 계면 사이에 존재하는 State로써 불순물이나 Radiation  Damage, Lattice 격자 결함 등에 의해 발생된다. 이 Charge들을  Fast Surface State라고도 한다.

Interlaced Scan

모니터 혹은 TV 등의 화면 Scanning에 관한 주사방식으로 주사할 화면에  대하여  상단부터 하단까지 홀수 화면과 짝수 화면으로 구분하여 주사하는 방식. (참조 : Non-Interlaced)

Interleave  Mode

메모리  사용속도를  높이기  위해  사용하는   메모리  Read/Write에  대한 방식이며 System 전체의 성능을 향상시킨다. 이 방식은 2개 이상의  메모리 Access가 이루어지는 동안 다른   Bank는 Rrecharge  Time동안  RAS  신호를 Active시켜   메모리 Access함으로써 메모리 사용속도를

높인다.

Inter Metallic Compound(금속간화합물)

두종류 이상의 금속이 결합하는 일종의 화합물로서 그 결합비율이  일정한(MOL)비로 되는 점이 합금과 다르다.

Internal Clock Switching

CPU에 공급되는 CLK의 Speed를 High에서 Low로 Low서 High로  전환하는  것으로  Seat CHIPSET에서는  CLK 2IN과  AT CLK에서 하나를 CLK  Source로 선택 사용하여 CLK 주파수를 변환시킨다.

Internal Memory(내부 메모리)

전자계산기에 있어서 사람의 손을 거치지 않고 자동적으로 이용할 수  있는 메모리. 레지스터, 콘트롤 메모리, 메인 메모리를 가리킨다.

Intra-bay

Bay 안에서 장비간 물류이동을 뜻하고 AGV나 track이 사용된다.

Intrinsic

P형 혹은 N형의 전기적인 성질을 나타내지 않는 것을 나타내며, 이러한 영역에는 P형 혹은 N형의 불순물이  없거나 동일한 양의 불순물이  있어  서로 상쇄되어 전기적인 성질의 나타나지 않는 영역을 나타냄.

Inversion

MOS FET에서 Gate전압에 의해서 생긴 P→N-type 변환이나 N→P-type 변환을 말함.

Inversion Wall(반전벽)

열 평형 상태에서도 질서상이 체계 전체에 걸쳐  존재 하지 않고,  어느 정도 축된 상태가 공존하여 존재하는 경우가 많다. 이러한 상태간의 경계를 벽이라 하는데, 여기의 좁은 뜻으로는 위상 만큼 차이나는  상태간의 벽을 의미한다.

Inverted Staggered(역적층)

비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 주로 이용되는 구조로 게이트  전극이 제일 밑에 있고 소오스와 드레인 전극이  활성층 위에 존재하는 구조를 말한다.

Inverter

Digital Circuit에서 1→0, or 0→1로 변환시키는 회로.

I/O(Input Output)

정보를 전달하거나 수신하는 곳 또는 입출력 장치를 말함.

Ion Beam Lithgraphy

기존의 Optic, X-ray, electron beam을 이용하는 방법보다 더 발전된  형태의 Lithography  방식으로서 보다 정밀한 해상도를 얻을 수 있음.

Ionizer

이온,  이온을 순차적으로 발생시켜 대기중에 발생된 정전기를  제거하는 장치(대전물에 존재하는 이온을 중화시킴).

Ion Implantation

반도체 소자가 원하는 전기적 특성을 가지도록  반도체 기판 위에  필요한 부분에만 고전압으로 가속된 이온을 물리적으로 주입하는 것.

Ion Injection

Silicon 등에  확산법에 의해 불순물을  넣어 주는 것이  아니라  Ion을 쏘아서 원하는 깊이, 원하는 갯수만큼의 불순물을 주입하는 것.

Ion Shell(이온각)

최외각 전자를 제외한 나머지 전자와 원자핵의 결합.

Ionization Energy(이온화 에너지)

원자를 이온화하는데 필요한 Energy.

I·R Oven

적외선 오븐.

IPA(Iso Propyl Alcohol)

세정하거나, 휘발성을  이용하여 건조시킬때 사용되는 화학물질임.

IPO(Inter Poly Oxide)

도체인 Poly Si과 Poly Si 사이의 절연을 위한 oxide.

ISA(Industry Standard Architecture)

원형 PC와 AT 컴퓨터에서 사용되는 버스신호와 Timing에 관한 것.

IS/B(Secondary Breakdown Current)

2차 항복 전류.

ISDN(Integrated Services Digital Network)

전기통신망(電氣通信用)의 장래  형태로서 전기, Facsimile, 화상, Date,  전보, Telex 등 복수 서비스를  제공할 수 있는 종합적인 Digital 교통망을 ISDN(=Digital 종합 통신망)이라고 부른다.

ISO(International Standardization Organization) 국제 표준기구.

ISO-Planar

Planer 보다 평탄하게 형성시킬 수 있는 기술.

Isolation

반도체 집적회로는 한 Chip속에 TR, Diode, 저항 등의 회로소자를 조립해 넣으므로 이들 소자를 먼저 각각 분리하여 고립된 상태를  만들어 놓는 데 이를Isolation이라 한다.

Isolation Diffusion

일반적으로 N형의 Epi층을 통하여 P형 Substrate까지 통하도록 진행함.  같은 유형의 Epi층 위에서 다른 전기적 성질을  갖는 영역들을 고립시키도록 하는 목적으로 사용됨.

Isolation in IC

반도체 집적회로에서 소자끼리 전기적으로 영향을 받지 않도록 하는 것.

Isotropic

물질의 성질이 방향에 따라 다르지 않는 것. 액정 물질은 TNI 온도이상이 되면 등방성이 된다.

Isotropic Etching

등방성 식각. 식각  반응이 수직 및 수평(측면)양  방향으로  진행되는 식각 형태.

Isotropic Phase(등방상)

물질이 거시적인 물리적 성질이 방향에  따르지 않을 경우, 그 물질은   물리적 성질에 대해 등방적이라고 하며, 외부의 장이 존재하지 않고  열 평행 상태에 있는 모든 물리적 성질에 대해 등방적일 때, 그 상태를  등방상 이라 한다. 이는 가늘고 긴분자 구조에서 분자의 축 방향과  직각 방향에서 물리적 성질을 달리하기 때문이다.

Isotropic Texture(등방성 조직)

일정한 수직 배향구조의 네마틱상이나 스메틱 A상